Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IRFP32N50K оригінал демонтаж, TO247
141,00 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFP32N50K – N-канальний польовий транзистор International Rectifier у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 32 А (Vgs 10 В) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 20 А (Vgs 10 В) |
| Rds(on), Vgs 10 В | 0.135 Ом (тип.), 0.16 Ом (макс.) при Id 32 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 190 нКл макс. (Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 460 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 530 нс (тип.), 800 нс (макс.) при If 32 А, di/dt 100 А/мкс |
| Вбудований діод | є, Vsd макс. 1.5 В (Is 32 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRFP32N50K – N-канальний MOSFET (HEXFET) виробництва International Rectifier у корпусі TO-247AC. Напруга Vds – 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 32 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C (Vgs 10 В). Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.135 Ом (тип.), 0.16 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 32 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В. Заряд затвора Qg – до 190 нКл (Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 5280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 460 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd до 1.5 В при Is 32 А; trr 530 нс (тип.), 800 нс (макс.) при If 32 А, di/dt 100 А/мкс.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id та Rds(on) при однакових умовах, а також корпус і розпіновку. Якщо у заміни інший заряд затвора, перевірте драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS).
- Джерела безперебійного живлення.
- Швидкісне силове перемикання, жорстке перемикання на високій частоті.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IXFH30N50P | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 30 ≥ 0.8×32=25.6, Rds(on) Vgs 10 В max 0.165 ≤ 1.3×0.16=0.208, корпус TO-247 = TO-247 | Заряд затвора Qg порівняйте за даташитом, перевірте драйвер. | Купити |
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×32=25.6, Rds(on) Vgs 10 В max 0.06 ≤ 1.3×0.16=0.208, корпус TO-247 = TO-247 | Технологія CoolMOS інша, перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRFP32N50K?
N-канальним MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 500 В, Id близьким до 32 А при Tc 25 °C та Rds(on) близьким до 0.16 Ом при Vgs 10 В. У каталозі є IXFH30N50P та 60R060P7, які проходять це правило; перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити такий транзистор?
Мультиметром у режимі діода перевірте внутрішній діод між витоком і стоком, а також відсутність короткого замикання між затвором, стоком і витоком.
Яке значення Qg у IRFP32N50K?
Qg – до 190 нКл при Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В. Драйвер має заряджати такий затвор достатньо швидко.
Документація виробника: IRFP32N50K (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.