Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IXFH30N50P ( IXFH30N50 , 30N50A , 30N50 ) оригінал демонтаж(500V,30A), TO247
235,00 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
14 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IXFH30N50P (IXFH30N50, 30N50A, 30N50) – N-канальний польовий транзистор Littelfuse/IXYS серії PolarHV HiPerFET, корпус TO-247. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, PolarHV HiPerFET |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 165 мОм (Vgs 10 В, Id 0.5·Id25; макс. 200 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 4 мА) |
| Потужність Pd | 460 Вт (Tc 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 200 нс макс. |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IXFH30N50P – N-канальний MOSFET Littelfuse/IXYS серії PolarHV HiPerFET, режим збагачення, корпус TO-247, зі швидким внутрішнім діодом. Напруга Vds – 500 В при Tj 25–150 °C. Струм стоку Id – 30 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 165 мОм типово (максимум 200 мОм) при Vgs 10 В, Id 0.5·Id25. Заряд затвора Qg – 70 нКл при Vgs 10 В, Vds 0.5·Vdss, Id 0.5·Id25. Вхідна ємність Ciss типово 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Id 4 мА. Потужність розсіювання – 460 Вт при Tc 25 °C, час відновлення діода trr – до 200 нс, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж – деталь знята з плати, її перевіряє інженер тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни підходить N-канальний MOSFET у TO-247 з не меншою напругою Vds, достатнім струмом Id і не більшим Rds(on) за тих самих умов; якщо заряд затвора Qg удвічі більший, перевірте драйвер. За даними виробника, прямі заміни – IXFT30N50P, IXFV30N50P, IXFV30N50PS. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×30 = 24, Rds(on) Vgs 10 В макс. 60 ≤ 1.3×165 = 215 мОм, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 67 нКл, менше за 70 нКл; Rds(on) вказано при Id 15.9 А, а не 0.5·Id25, тому порівнюйте з даташитом | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IXFH30N50P?
У нашому каталозі є 60R060P7: Vds 600 В, Id 48 А, Rds(on) до 60 мОм, той самий корпус TO-247. Заряд затвора і драйвер порівняйте самостійно. За даними виробника, прямі заміни – IXFT30N50P, IXFV30N50P, IXFV30N50PS.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити IXFH30N50P перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між виводами, потім звіряйте вивід за виводом з даташитом: корпус TO-247. Параметри порівнюйте за однакових умов, наприклад Rds(on) при Vgs 10 В.
Який внутрішній діод у IXFH30N50P?
Швидкий: час зворотного відновлення trr до 200 нс.
Документація виробника: IXFH30N50P (Littelfuse/IXYS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.