Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IRFP4332 оригінал демонтаж, TO247
122,20 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFP4332 – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-247, розрахований на схеми плазмових панелей. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vdss (мін.) | 250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Напруга лавинного пробою VDS(Avalanche), типова | 300 В |
| Rds(on) типовий | 29 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А) |
| Rds(on) максимальний | 33 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А) |
| Заряд затвора Qg, типовий | 130 нКл (VDD = 125 В, ID = 35 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Максимальна температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRFP4332 – N-канальний MOSFET виробника Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-247 (TO-247AC). Мінімальна напруга Vdss – 250 В при VGS = 0 В, ID = 250 мкА. Типова напруга лавинного пробою VDS(Avalanche) – 300 В за даними титульної частини datasheet. Опір відкритого каналу Rds(on) – 29 мОм типово і 33 мОм максимально при VGS = 10 В, ID = 35 А. Заряд затвора Qg – 130 нКл типово при VDD = 125 В, ID = 35 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet напругу Vdss, струм стоку, Rds(on) при тому самому VGS, заряд затвора, корпус та розпіновку. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Плазмові панелі (PDP): схеми Sustain і Energy Recovery
- Ключі проходу (Pass Switch) і схеми рекуперації енергії
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IRFP4332?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з тією ж розпіновкою. Напруга Vdss має бути не нижчою за 250 В, а Rds(on) – не гіршим за 33 мОм при VGS = 10 В, ID = 35 А. Остаточно звіряйте datasheet.
Для яких схем підходить IRFP4332?
Для плазмових панелей (PDP) у схемах Sustain і Energy Recovery, а також для ключів проходу (Pass Switch) і схем рекуперації енергії.
Який заряд затвора у IRFP4332?
Типово 130 нКл при VDD = 125 В, ID = 35 А, VGS = 10 В. Це варто врахувати при виборі драйвера затвора.
Документація виробника: IRFP4332PbF, Rev. 2.3.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon (International Rectifier), IRFP4332PbF; частина параметрів у картці не наводиться.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.