Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP260N оригінал , TO247
132,07 ₴
32 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
32 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFP260N – оригінальний N-канальний MOSFET серії HEXFET (Infineon, International Rectifier) в корпусі TO-247AC для потужних схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 35 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 28 А) | 0.04 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 234 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 300 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IRFP260N – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії HEXFET п'ятого покоління від Infineon (International Rectifier). Напруга стік-витік – 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку – 50 А при температурі корпусу 25 °C і 35 А при 100 °C (VGS = 10 В). Опір відкритого каналу – не більше 0.04 Ом (VGS = 10 В, ID = 28 А). Вхідна ємність Ciss типово 4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність – 300 Вт при температурі корпусу 25 °C. Порогова напруга затвора – 2.0–4.0 В, максимальна напруга затвор-витік – ±20 В.
Це оригінальна деталь у корпусі TO-247AC, який кріпиться до радіатора. Заряд затвора – не більше 234 нКл (ID = 28 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В), тому драйвер затвора має витримувати таке навантаження. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, напругу, струм, опір каналу й корпус із цими значеннями. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Промислові та комерційні пристрої підвищеної потужності (за призначенням корпусу TO-247AC)
Чим замінити IRFP260N?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою не нижче 200 В, струмом не менше 50 А при 25 °C і опором каналу не гіршим за 0.04 Ом. Перевіряйте за datasheet.
Як перевірити транзистор?
Виведіть його зі схеми, перевірте вбудований діод між стоком і витоком і відсутність обриву між затвором та іншими виводами.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який заряд затвора в IRFP260N?
Не більше 234 нКл при ID = 28 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В. Враховуйте це при виборі драйвера затвора.
Документація виробника: IRFP260NPbF, Rev. 2.1.
Datasheet Infineon IRFP260NPbF Rev. 2.1 знайдено; статус виробництва не підтверджено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор IRFP250N оригінал (200V,33A) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 30 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 21 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 18 А) | 0.075 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 123 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 214 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.