Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP250N оригінал (200V,33A) , TO247
107,16 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFP250N – оригінальний N-канальний MOSFET серії HEXFET (Infineon, International Rectifier) в корпусі TO-247AC для силових схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 30 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 21 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 18 А) | 0.075 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 123 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 214 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IRFP250N – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії HEXFET п'ятого покоління від Infineon (International Rectifier). Напруга стік-витік – 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку – 30 А при температурі корпусу 25 °C і 21 А при 100 °C (VGS = 10 В). Опір відкритого каналу – не більше 0.075 Ом (VGS = 10 В, ID = 18 А). Вхідна ємність Ciss типово 2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність – 214 Вт при температурі корпусу 25 °C. Порогова напруга затвора – 2.0–4.0 В, максимальна напруга затвор-витік – ±20 В.
Це оригінальна деталь у корпусі TO-247AC, який кріпиться до радіатора. Заряд затвора – не більше 123 нКл (ID = 18 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В), тому драйвер затвора має потягнути таке навантаження. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, напругу, струм, опір каналу й корпус із цими значеннями. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Промислові та комерційні пристрої підвищеної потужності (за призначенням корпусу TO-247AC)
Чим замінити IRFP250N?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою не нижче 200 В, струмом не менше 30 А при 25 °C і опором каналу не гіршим за 0.075 Ом. Перевіряйте за datasheet.
Як перевірити транзистор?
Виведіть його зі схеми, перевірте вбудований діод між стоком і витоком і відсутність обриву між затвором та іншими виводами.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який заряд затвора в IRFP250N?
Не більше 123 нКл при ID = 18 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В. Враховуйте це при виборі драйвера затвора.
Документація виробника: IRFP250NPbF, Rev. 2.1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор IRFP260N оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 35 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 28 А) | 0.04 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 234 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 300 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009 ( E13009L ) оригінал (заміна для W13009 , D13009 , E13009-2 , 2SD304X , D304X ) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (CASE 221A-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO(sus) | 400 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
| Струм колектора IC | 12 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний ICM | 24 А |
| Напруга емітер-база VEBO | 9 В |
| Потужність розсіювання PD | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 5 А, VCE = 5 В) | 8–40 |
| hFE (IC = 8 А, VCE = 5 В) | 6–30 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.