Транзистори
Транзистор IRFZ34N оригінал (55V,26A,56W,0.04R)
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Струм стоку Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 29 А |
| Струм стоку Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 20 А |
| Імпульсний струм Idm | 100 А |
| Розсіювана потужність Pd (Tc = 25 °C) | 68 Вт |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 0,040 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 16 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 34 нКл макс. (ID = 16 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ44N оригінал (заміна для IRFZ42 , IRFZ40 ) , TO220
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 49 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 35 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 17,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 63 нКл макс. (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ46N оригінал (55V,53A,107W,0.0165R), TO220
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 53 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 37 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 16,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 72 нКл макс. (ID = 28 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1696 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ48N оригінал (55V,64A,130W,0.014R)
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм Id (25 °C) | 64 А |
| Струм Id (100 °C) | 45 А |
| Опір Rds(on) | 14 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 32 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ48V оригінал (60V,72A,150W),TO220(Заміна для IRFZ44V )
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 72 А |
| Струм Id (100 °C) | 51 А |
| Опір Rds(on) | 12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1985 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRG4BC30W ( G4BC30W ) оригінал, TO220
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм колектора Ic | 23 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 92 А |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C); 42 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 980 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В (максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRG4PC50KD ( G4PC50KD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 52 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.84 В (typ., Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 95 нс (typ., Ic 30 А, Vcc 480 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є (HEXFRED) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRG4PC50W ( G4PC50W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
256,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT N-канал, без вбудованого діода |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 55 А (Tc 25 °C); 27 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 2.25 В тип., 2.3 В макс. (IC = 27 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C); 78 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3700 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRG7R313U , DPAK
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (мін.) | 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Повторюваний піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.35 В (typ., Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.2–4.7 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 68 нс (typ., Tj 25 °C, Ic 12 А, Vcc 196 В, Rg 10 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
Демонтаж
Транзистор IRGP35B60PD ( GP35B60PD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 34 А (Tc 100 °C) |
| Потужність Pd | 308 Вт (Tc 25 °C); 123 Вт (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 1.85 В typ (макс. 2.15; Ic 22 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0 В typ (Ic 250 мкА) |
| Qg | 160 нКл typ (Ic 22 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3715 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 215 мкДж typ (Ic 22 А, Vcc 390 В, Rg 3.3 Ом, Tj 25 °C) |
| tf | 8.0 нс typ |
| Діод | HEXFRED; Vf 1.30 В typ (If 15 А); trr 42 нс typ (If 15 А, Vr 200 В) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRGPC50U оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 55 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 27 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,9 В (тип.) при IC 27 А, VGE 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRGPS40B120UD ( GPS40B120UD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Vce(on) тип. (IC = 40 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) | 3,12 В |
| Вбудований діод | є, ультрашвидкий з м’яким відновленням |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 595 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | Super-247 |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL2505 оригінал , TO220
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET), логічний рівень |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм Id (25 °C) | 104 А |
| Струм Id (100 °C) | 74 А |
| Опір Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 54 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл макс. (VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±16 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL3705N ( L3705N ) оригінал, TO220
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vdss | 55 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 89 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on), макс. | 0,010 Ом (VGS = 10 В, ID = 46 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В |
| Розсіювана потужність | 170 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL3713 оригінал демонтаж(30V,260A) , TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий | 260 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Обмеження струму корпусом | 75 А |
| Rds(on) | 2,6 мОм типово, 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Qg | 75 нКл типово, 110 нКл макс. (VGS = 4,5 В) |
| Розсіювана потужність | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL3803 оригінал, TO220
В наявності
133,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 140 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 98 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при VGS = 10 В | 6 мОм макс., ID = 71 А |
| Опір Rds(on) при VGS = 4,5 В | 9 мОм макс., ID = 59 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 В мін. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 140 нК макс., ID = 71 А, VDS = 24 В, VGS = 4,5 В |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±16 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL40SC209 оригінал демонтаж, D2PAK-7Pin
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал (StrongIRFET, logic level) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID кристала (TC 25 °C, VGS=10 В) | 478 А |
| Струм ID кристала (TC 100 °C, VGS=10 В) | 338 А |
| Струм ID, обмеження виводами (TC 25 °C, VGS=10 В) | 300 А |
| Rds(on) тип. (VGS=10 В) | 0.6 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В) | 0.8 мОм |
| Rds(on) тип. / макс. (VGS=4.5 В, ID=50 А) | 0.8 / 1.1 мОм |
| Qg тип. / макс. (ID=100 А, VDS=20 В) | 178 / 267 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 15270 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC 25 °C) | 375 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL40SC209 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
310,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, logic level, HEXFET StrongIRFET |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (обмеження корпусом, Tc 25 °C) | 300 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 25 °C) | 478 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 100 А | 0,6 мОм тип. / 0,8 мОм макс. |
| Rds(on) при VGS 4,5 В, ID 50 А | 0,8 мОм тип. / 1,1 мОм макс. |
| Vgs(th) | 1,0–2,4 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15270 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL40SC228 оригінал демонтаж, D2PAK-7Pin
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал (StrongIRFET, logic level) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID кристала (TC 25 °C, VGS=10 В) | 557 А |
| Струм ID кристала (TC 100 °C, VGS=10 В) | 393 А |
| Струм ID, обмеження виводами (TC 25 °C, VGS=10 В) | 360 А |
| Rds(on) тип. (VGS=10 В) | 0.50 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В) | 0.65 мОм |
| Rds(on) тип. / макс. (VGS=4.5 В, ID=50 А) | 0.60 / 0.90 мОм |
| Qg тип. / макс. (ID=100 А, VDS=20 В) | 205 / 307 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC 25 °C) | 416 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL40SC228 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (за кремнієм) | 557 А (Tc 25 °C, VGS 10 В); 393 А (Tc 100 °C); виводи обмежують до 360 А |
| Rds(on) | 0,50 мОм тип. / 0,65 мОм макс. (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при VGS 4,5 В | 0,60 мОм тип. / 0,90 мОм макс. (ID 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 1,0 мін. / 2,4 макс. В (VDS = VGS, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 тип. / 307 макс. нКл (VGS 4,5 В, VDS 20 В, ID 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 416 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL7833 (Заміна для IRL2203N ) оригінал демонтаж(30V,150A,3.8mR), TO220
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий | 150 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Обмеження струму корпусом | 75 А |
| Rds(on) | 3,1 мОм типово, 3,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А) |
| Vgs(th) | 1,4–2,3 В |
| Qg | 32 нКл типово, 47 нКл макс. (VGS = 4,5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4170 пФ |
| Розсіювана потужність | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRLB3034 оригінал, TO220
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, логічний рівень керування (4,5 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (обмеження кристалом) | 343 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (обмеження корпусом) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 1,4 мОм тип. / 1,7 макс. (VGS = 10 В, ID = 195 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 10315 пФ |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB3036 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vdss | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (кристал) | 270 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 1,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Rds(on) макс. | 2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Поріг Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 91 нКл тип. / 140 нКл макс. (ID = 165 А, VDS = 30 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 11210 пФ |
| Vgs | ±16 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB4132 оригінал , TO220
В наявності
114,68 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В) | 100 А |
| Струм Id, обмеження корпусом (Tc 25 °C) | 78 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 40 А, Tj 25 °C) | 3.5 мОм |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 32 А, Tj 25 °C) | 4.5 мОм |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5110 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 140 Вт |
| Температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал, HEXFET, logic level |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLML2803TR , sot23
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vdss | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID | 1,2 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0,25 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,91 А) |
| Потужність Pd | 540 мВт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 85 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
Транзистор IRLR2905Z оригінал ( LR2905Z , AULR2905Z ), D-PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, logic level |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 55 В (мін., VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Rds(on) | 13,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 36 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В |
| Qg | 23 нКл (тип., VGS = 5,0 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1570 пФ |
| Температура переходу і зберігання | від -55 до +175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLR3410 , D-PAK
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором |
| Напруга Vdss | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 17 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 12 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 60 А |
| Rds(on) | 0,105 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, макс.) |
| Qg | 34 нКл (ID = 9 А, VDS = 80 В, VGS = 5 В, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 79 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор IRLR7833 , D-PAK
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vdss | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 140 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 99 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 560 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А, макс.) |
| Qg | 50 нКл (VDS = 16 В, VGS = 4,5 В, ID = 12 А, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4010 пФ |
| Vgs(th) | 1,4–2,3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор IRLR8726 оригінал ( LR8726 ), D-PAK
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Rds(on) макс. | 5,8 мОм (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg тип. | 15 нКл (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, VDS = 15 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1,35–2,35 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET, логічний рівень |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLZ44N оригінал (55V,47A,110W) , TO220
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, logic-level (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 V, ID = 250 µA) |
| Струм стоку Id | 47 А (TC = 25 °C, VGS = 10 V) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 33 А (TC = 100 °C, VGS = 10 V) |
| Rds(on) при 10 В | 0.022 Ом (VGS = 10 V, ID = 25 A) |
| Rds(on) при 5.0 В | 0.025 Ом (VGS = 5.0 V, ID = 25 A) |
| Rds(on) при 4.0 В | 0.035 Ом (VGS = 4.0 V, ID = 21 A) |
| Vgs(th) | 1.0–2.0 В (VDS = VGS, ID = 250 µA) |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±16 В (максимум) |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ITA13N60A ( 13N60 ) оригінал, TO220F
В наявності
165,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id | 13 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,65 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | від 2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл типово (VDD = 300 В, ID = 13 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 50 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH12N120 ( IXTH12N120 , IXFH12N120P , 12N120 ) демонтаж, TO247(заміна для STW11NK100Z , W11NK100Z )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Littelfuse (IXYS) |
| Напруга Vdss | 1200 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 12 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 1,15 Ом типово (Vgs 10 В, Id 0,5 x Id25) |
| Qg(on) | 103 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,5–6,5 В |
| Pd | 543 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH21N50Q ( IXFH21N50 , IXTH21N50 , FH21N50 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id25 | 21 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID = 4 мА) |
| Qg(on) | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH22N65X2 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (TJ = 25–150 °C) |
| Струм стоку Id | 22 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5 × ID25) |
| Vgs(th) | 3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА) |
| Заряд затвора Qg(on) | 37 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | від -55 до +150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXFH22N65X2 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vdss | 650 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм Id25 | 22 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА) |
| Qg(on) | 37 нКл (VGS = 10 В, VDS = 0,5·Vdss, ID = 0,5·ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 390 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH24N90P оригінал демонтаж ( заміна для 24N90 , PTF24N90 ) , TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Напруга Vds | 900 В (TJ 25–150 °C) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 24 А |
| Rds(on) | 420 мОм макс. (VGS 10 В, ID 0,5 × ID25, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 660 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |