Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXFH22N65X2 оригінал, TO247
282,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IXFH22N65X2 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Littelfuse/IXYS серії X2-Class HiPerFET на 650 В у корпусі TO-247. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vdss | 650 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм Id25 | 22 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА) |
| Qg(on) | 37 нКл (VGS = 10 В, VDS = 0,5·Vdss, ID = 0,5·ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 390 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал |
IXFH22N65X2 – N-канальний MOSFET виробництва Littelfuse/IXYS серії X2-Class HiPerFET у корпусі TO-247 із вбудованим діодом, у режимі збагачення, з лавинною стійкістю. Напруга стік–витік Vdss – 650 В при Tj = 25…150 °C. Струм стоку Id25 – 22 А при Tc = 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – максимум 145 мОм при VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj = 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 3,5–5,0 В при VDS = VGS, ID = 1,5 мА. Заряд затвора Qg(on) – 37 нКл при VGS = 10 В, VDS = 0,5·Vdss, ID = 0,5·ID25. Вхідна ємність Ciss типово 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 390 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо в день оплати або наступного дня Новою поштою зі складу у Запоріжжі. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), напругу, струм, Rds(on), заряд затвора й корпус. За даними виробника, є також IXFA22N65X2 (TO-263) і IXFP22N65X2 (TO-220).
Де застосовують
- Імпульсні й резонансні джерела живлення, DC-DC перетворювачі
- Схеми PFC, приводи двигунів змінного й постійного струму, робототехніка та сервоприводи
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити IXFH22N65X2?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою не нижче 650 В, струмом не нижче 22 А при 25 °C і Rds(on) не гірше 145 мОм при 10 В. Прямі заміни за даними виробника – IXFA22N65X2 і IXFP22N65X2, але вони в іншому корпусі. Підібраних аналогів у каталозі зараз немає, порівнюйте datasheet.
Як перевірити IXFH22N65X2 мультиметром?
У режимі перевірки діодів між стоком і витоком вбудований діод має пропускати струм в один бік. Затвор у справного транзистора не має провідності ні до стоку, ні до витоку.
Для яких схем підходить IXFH22N65X2?
За документом – для імпульсних і резонансних джерел живлення, DC-DC перетворювачів, схем PFC та приводів двигунів.
Документація виробника: IXFH22N65X2 (Littelfuse/IXYS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.