Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор HY19P03D ( HY19P03 ) оригінал, DPAK

117,50 ₴

30 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

30 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HY19P03D (HY19P03) – P-канальний польовий транзистор HOOYI у корпусі DPAK для керування живленням у DC/DC перетворювачах. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникHOOYI
Тип каналуP
КорпусTO-252 (D-PAK)
Напруга Vds-30 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)-90 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)-59 А
Опір Rds(on) (Vgs -10 В, Id -45 А)4.8 мОм типово, макс. 6 мОм
Опір Rds(on) (Vgs -4,5 В, Id -45 А)6.4 мОм типово, макс. 8 мОм
Порогова напруга Vgs(th)-1.0…-3.0 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)50 Вт
Вхідна ємність Ciss4787 пФ (f 1 МГц)
Tj max150 °C
СтанОригінал
Опис

HY19P03D (HY19P03) – P-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробника HOOYI у корпусі TO-252 (DPAK). Напруга Vds -30 В (Vgs 0 В, Id -250 мкА). Струм стоку Id -90 А при Tc 25 °C і -59 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типово 4.8 мОм при Vgs -10 В, Id -45 А (макс. 6 мОм) і 6.4 мОм при Vgs -4,5 В, Id -45 А (макс. 8 мОм). Порогова напруга Vgs(th) від -1.0 до -3.0 В при Vds = Vgs, Id -250 мкА, типово -1,7 В. Вхідна ємність Ciss типово 4787 пФ (f 1 МГц). Потужність Pd 50 Вт при Tc 25 °C (20 Вт при 100 °C), Tj max 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, беріть P-канальний транзистор у корпусі TO-252 (DPAK) з напругою Vds не меншою за -30 В, струмом Id не меншим і опором Rds(on) не вищим при тому самому Vgs. Звіряйте розпіновку й документацію виробника. Товар у наявності у Запоріжжі, відправляємо Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Керування живленням у DC/DC перетворювачах
Часто питають
Чим замінити HY19P03D?

Потрібен P-канальний MOSFET у корпусі TO-252 (DPAK) з Vds не меншою за -30 В, не меншим Id і не вищим Rds(on) при тому самому Vgs. Розпіновку й документацію порівнюйте самостійно.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який у HY19P03D опір відкритого каналу?

Типово 4.8 мОм при Vgs -10 В, Id -45 А (макс. 6 мОм) і 6.4 мОм при Vgs -4,5 В, Id -45 А (макс. 8 мОм).

Для чого використовують HY19P03D?

Для керування живленням у DC/DC перетворювачах. Це P-канальний транзистор, тому його полярність протилежна N-канальним.

Datasheet

Документація виробника: HY19P03D (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HY19P03D (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.