Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247A-3L
СтанОригінал

Транзистор HUAYI HY5012W ( HY5012 ) оригінал (125V,300A), TO247

139,59 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HY5012W (HY5012) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі TO-247, оригінал. Застосовується в системах керування живленням в інверторах.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247A-3L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN-канал
Напруга Vds125 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)300 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)196 А
Rds(on)2,9 мОм тип., 3,6 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 150 А, Tc 25 °C)
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В)
Заряд затвора Qg352 нКл (VDS = 100 В, VGS = 10 В, IDS = 150 А)
Вхідна ємність Ciss16300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vgs макс.±25 В
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247A-3L
СтанОригінал
Опис

HY5012W (HY5012) – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TO-247A-3L, режим збагачення. За даташитом напруга Vds 125 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id 300 А при Tc 25 °C і 196 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 2,9 мОм (тип.), 3,6 мОм (макс.) при VGS = 10 В, IDS = 150 А, Tc 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (тип. 3 В) при IDS = 250 мкА. Заряд затвора Qg 352 нКл при VDS = 100 В, VGS = 10 В, IDS = 150 А. Вхідна ємність Ciss типово 16300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 500 Вт при Tc 25 °C, максимальна напруга затвор-витік Vgs ±25 В, максимальна температура переходу Tj 175 °C.

Оригінал, не демонтаж. При заміні дивіться не лише Vds, Id і Rds(on), а й заряд затвора Qg та корпус: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Системи керування живленням в інверторах
Часто питають
Чим замінити HY5012W?

Шукайте N-канальний MOSFET у TO-247 з Vds не нижче 125 В, Rds(on) не гірше за 3,6 мОм (макс.) при VGS = 10 В і близьким Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за даташитом.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Для яких схем підходить HY5012W?

Для систем керування живленням в інверторах.

Який струм витримує HY5012W?

Id 300 А при Tc 25 °C і 196 А при Tc 100 °C. Потужність розсіювання Pd 500 Вт при Tc 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: HY5012W (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HY5012W (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.