Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N60A47 ( 25N60 , GL25N60 ) оригінал, TO247
345,92 ₴
32 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
32 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GL25N60A47 оригінал – N-канальний MOSFET на 600 В і 25 А у корпусі TO-247. Використовують в адаптерах і зарядних пристроях.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOS) |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12.5 А); тип. 175 мОм |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgs | ±30 В |
| Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
GL25N60A47 – N-канальний MOSFET (VDMOS, планарна технологія) у корпусі TO-247. Напруга стік–витік Vds – 600 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 25 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 200 мОм при Vgs 10 В і Id 12.5 А, типово 175 мОм. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 230 Вт при Tc 25 °C, температура переходу Tj – до 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. 25N60 і GL25N60 – скорочені назви цієї самої деталі. Під час підбору заміни дивіться на тип каналу, корпус TO-247, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання; якщо заряд затвора Qg у заміни вдвічі більший, перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Адаптери
- Зарядні пристрої
- Джерела живлення SMPS (чергове живлення)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×25=20, Rds(on) Vgs 10 В typ 49 ≤ 1.3×200=260 мОм, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора за datasheet обох деталей. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити GL25N60A47?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-247 з Vds не нижче 600 В, близькими Id та Rds(on). Порівнюйте за datasheet обох деталей за однакових умов вимірювання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підійде GL25N60A47 для зарядного пристрою?
Деталь розрахована на 600 В і 25 А (Tc 25 °C), її застосовують в адаптерах, зарядних пристроях і чергових джерелах живлення SMPS. Остаточно перевіряйте за схемою свого пристрою.
Який Rds(on) у GL25N60A47?
Не більше 200 мОм при Vgs 10 В і Id 12.5 А, типово 175 мОм.
Документація виробника: GL25N60A47.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.