Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GPT16N50DG оригінал, TO220F
141,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GPT16N50DG оригінал – N-канальний MOSFET Greatpower на 500 В у корпусі TO-220F для блоків живлення та перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Greatpower |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 15,5 А (безперервний; значення для TO-220 і TO-220FP) |
| Rds(on) | 0,38 Ом (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Vgs(th) | 3–5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 49,3 нКл (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2299 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| trr | 475 нс (IS = 16 А, dIS/dt = 100 А/мкс) |
| Pd | 49 Вт (версія TO-220FP) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
GPT16N50DG – N-канальний MOSFET виробництва Greatpower у корпусі TO-220F. Цифри нижче – за даташитом GPT16N50 / GPT16N50D (Rev1.5). Напруга стік–витік Vds – 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 15,5 А, безперервний; температуру корпуса документ не вказує, значення дано для TO-220 і TO-220FP. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,38 Ом при Vgs 10 В і Id 8 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3–5 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 49,3 нКл при VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2299 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Час зворотного відновлення діода trr – 475 нс при IS = 16 А, dIS/dt = 100 А/мкс. Потужність розсіювання Pd – 49 Вт (версія TO-220FP), максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни дивіться на тип каналу (N), корпус TO-220F, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання, а також на заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Блоки живлення, перетворювачі, ШІМ-керування двигунами
- Мостові схеми (діод із швидким відновленням)
Чим замінити GPT16N50DG?
Підбирайте за datasheet: канал N, Vds не нижче 500 В, Id і Rds(on) за однакових умов, той самий корпус TO-220F і розпіновка. Готового списку аналогів у наявності для цього номера немає.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого підходить GPT16N50DG?
Це силовий N-канальний MOSFET на 500 В: блоки живлення, перетворювачі, ШІМ-керування двигунами.
Що врахувати щодо діода в транзисторі?
Вбудований діод має trr 475 нс при IS = 16 А, dIS/dt = 100 А/мкс. У мостових схемах дивіться на цей час.
Документація виробника: GPT16N50 (Greatpower).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.