Транзистори
Транзистор FTP14N50C оригінал ( заміна для 14N50L , UTC14N50L , T14N50 , AOT14N50 ), TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 14 А (Tc 25 °C); 8.5 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.46 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7 А); тип. 0.40 Ом |
| Qg | 41 нКл (Vdd 250 В, Id 14 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2129 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP16N06A оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (VGS=0 В) |
| Струм Id | 65 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 13 мОм тип., 16 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP20N50A оригінал (заміна для FTP20N50C ) , TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 175 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP23N10A оригінал, TO220
В наявності
125,02 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 57 А |
| Rds(on) | 23 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 28 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4563 пФ |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP50N20R оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id | 50 А (TC=25 °C), 38.5 А (TC=100 °C) |
| Rds(on) тип. | 42 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTW20N50A оригінал (заміна для SW20N50 , PTW20N50A , 20N50P , FSA20N50 , FDA20N50 , A20N50SE , WGA20N50SE , CMA20N50 , CS20N50 , BR20N50 , HA20N50 , 20N50ANH , 20N50 ) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове) | 0.26 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Fuji 2SK2723 ( K2723 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
84,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Vds (Ta 25 °C) | 60 В |
| Id DC (Ta 25 °C) | 25 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 13 А) | 28 мОм (тип.), 40 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS 4 В, ID 13 А) | 45 мОм (тип.), 60 мОм (макс.) |
| Vgs(off) (VDS 10 В, ID 1 мА) | 1.0–2.0 В |
| Ciss | 830 пФ (тип.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 25 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Захисний діод затвор-витік | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор Fuji 2SK3469 ( K3469 ) оригінал, TO220F
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Super FAP-G) |
| Виробник | Fuji Electric |
| Vds (Tc 25 °C) | 500 В |
| Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (ID 6 А, VGS 10 В) | 0.40 Ом (тип.), 0.52 Ом (макс.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ |
| Tch макс. | 150 °C |
| Vsd (IF 12 А, VGS 0 В) | 1.00 В (тип.), 1.50 В (макс.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FXN28N50F оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FuXin Semiconductor (FX-Semi) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А (обмежено кристалом, за корпусом – 23 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 16,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,20 Ом макс. (тип. 0,17 Ом), VGS = 10 В, ID = 14 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 80 нК (тип.), VDS = 400 В, ID = 28 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 300 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 108 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NA1P ) оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 220 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 154 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.8 мОм тип., 2.3 мОм макс. (VGS 10 В, ID 60 А, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5755 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NR1B ) оригінал (заміна для 020N04 , BR 020N04 , BR020N04), D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 156 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=40 А) | 1,9 мОм (тип.), 2,4 мОм (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Qg | 110 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4392 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1D ) оригінал (заміна для HYG023N04LS1D )(45V,140A), D-PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 45 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 140 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм тип., 2.9 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 82 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3412 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1P , HYG023N04LS1P ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Інші позначення | HYG023N04, HYG023N04NR1P, HYG023N04LS1P |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 170 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм тип., 2,6 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 2,9 мОм тип., 3,5 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 40 А) |
| Напруга Vgs(th) | 1–3 В, тип. 1,9 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58,7 нКл (VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1D , G025N06D, HYG025N06D ) оригінал, DPAK
В наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI (Huayi Microelectronics) |
| Тип | N-канальний, режим збагачення |
| Напруга Vds (BVDSS) | 60 В (мін., Vgs 0 В, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 2.6 мОм тип., 3.3 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4.5 В | 3.8 мОм тип., 4.7 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 мін., 2.1 тип., 3.0 макс. В (Vds=Vgs, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgss | ±20 В |
| Заряд затвора Qg (Vgs 10 В) | 58.3 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Заряд затвора Qg (Vgs 4.5 В) | 27.7 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 41.1 нс тип. (Isd 40 А, dIsd/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1P , G025N06P ) оригінал, TO220
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 160 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 113 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) при 10 В | 2.5 мОм тип., 3.2 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 3.7 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=4.5 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 1.0–3.0 В, тип. 2.1 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58.3 нКл тип. (VDS=48 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В, trr тип. 41.1 нс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1P ) оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id | 230 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=50 А) | 2,6 мОм (тип.), 3,3 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2 (мін.), 3 (тип.), 4 (макс.) В |
| Qg | 176 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі |
| Rds(on) | 3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10NS1B ) оригінал(100V,160A) , D2PAK
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, IDS = 250 µA, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 160 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 113 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. / 4.2 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл (VDS = 80 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G15T60 ( IGP15N60T ) оригінал, TO220
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.5 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.9 В (Ic 210 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 860 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G15T60A93L ( CRG15T60A93L ) оригінал, TO220F
В наявності
114,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В при VGE = 0 В |
| Струм Ic | 30 А при Tc 25 °C; 15 А при Tc 100 °C (TO-220F) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.4 В макс. при Ic 15 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 5.7 В тип. при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл при Vce 480 В, Ic 15 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 1095 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 26 Вт при Tc 25 °C (TO-220F) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G1N65R035TB-N оригінал демонтаж ( заміна для TP65H035G4WS ), TO247
В наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | GaN-транзистор (нормально закритий) |
| Напруга Vdss | 650 В (TJ –55…150 °C) |
| Vdss(TR) | 800 В (викид менше 30 мкс) |
| Струм Id | 46 А (TC 25 °C); 29 А (TC 100 °C) |
| Rds(on)eff | 35 мОм тип. (VGS 10 В, ID 30 А, TJ 25 °C) |
| Qg | 22 нКл тип. (VDS 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 400 В, f 1 МГц) |
| Pd | 156 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G20N50C ( SiHG20N50C ) оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом (типове) при Vgs 10 В, Id 1 А |
| Qg | 45 нКл (типове) при Vds 480 В, Vgs 10 В, Id 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T60A83L ( CRG20T60A83L ) оригінал, TO220
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.66 В typ, макс. 2.4 В (IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 86.4 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-A ) оригінал , TO220F
В наявності
253,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Belling |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.55 В (VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TO-220F, Tc=25 °C) | 39 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-P ) оригінал, TO220
В наявності
263,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 80 А (обмежено Tj max) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C; макс. 1,95 В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5,1–6,5 В (Vce = Vge, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (Vcc 520 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (м’який, швидкий) |
| Розсіювана потужність Pd | 136 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G22N60S ( SiHG22N60S ) оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 22 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 11 А) | 0,160 Ом тип., 0,190 Ом макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип., 115 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 2810 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G30N60A4 ( HGTG30N60A4 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А (TC = 25 °C) |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер VGES | ±20 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор G30N60A4D ( HGTG30N60A4D ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Діод VEC типово | 2.2 В (IEC = 30 А) |
| Діод trr типово | 40 нс (IEC = 30 А, dIEC/dt = 200 А/мкс) |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Вбудований діод | антипаралельний швидкий |
| Корпус | TO-247-3LD (short lead) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор G33N60E ( G33N60EF , SiHG33N60E , SiHG33N60EF ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25 °C) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 33 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 21 А |
| Rds(on) | 0,085 Ом тип., 0,098 Ом макс. (VGS=10 В, ID=16,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл тип. (VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3454 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 278 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G40T60AK3SD ( CRG40T60AK3SD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop Trench) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,7 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В) |
| Pd при 25 °C | 336 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T60AN3S ( CRG40T60AN3S ) оригінал, TO3P
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,8 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 280 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5HD ( CRG40T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5SD ( CRG40T65AK5SD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (макс. 1.80 В) при IC = 40 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C |
| Qg | 97.0 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2798 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Pd | 250 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AN5H ( CRG40T65AN5H ) оригінал, TO3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G50EH5 ( IGW50N65H5 ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 H5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 56 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,65 В тип. / 2,10 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G50H603 ( IGW50N60H3 ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено Tvjmax); 50 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,30 В макс. (VGE 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 315 нКл (Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Ptot | 333 Вт (Tc 25 °C); 167 Вт (Tc 100 °C) |
| Tvj макс. | 175 °C |
| Vge | ±20 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор G50T65AK5SD ( CRG50T65AK5SD ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | CRG50T65AK5SD |
| Маркування | G50T65AK5SD |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 268 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3404 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G60N60BN3H оригінал ( CRG60N60BN3H , G60N60 ), TO3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic | 120 А (25 °C), 60 А (100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,4 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…7,0 В (тип. 5,4 В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3398 пФ (VCE = 30 В, f = 1 МГц) |
| Енергія вимикання Eoff | 1,39 мДж |
| Час спаду tf | 51 нс |
| Потужність Pd | 403 Вт (25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод: Vf / trr | 1,3 В (IF = 30 А) / 80 нс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T60AK3SD ( CRG75T60AK3SD ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,55 В тип., 2,4 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 469 Вт (Tc 25 °C), 234 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T65AK5HD ( CRG75T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 А (Tc 25 °C); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 468 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |