Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор G1N65R035TB-N оригінал демонтаж ( заміна для TP65H035G4WS ), TO247
423,00 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G1N65R035TB-N оригінал демонтаж – GaN-транзистор на 650 В у корпусі TO-247. Знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | GaN-транзистор (нормально закритий) |
| Напруга Vdss | 650 В (TJ –55…150 °C) |
| Vdss(TR) | 800 В (викид менше 30 мкс) |
| Струм Id | 46 А (TC 25 °C); 29 А (TC 100 °C) |
| Rds(on)eff | 35 мОм тип. (VGS 10 В, ID 30 А, TJ 25 °C) |
| Qg | 22 нКл тип. (VDS 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 400 В, f 1 МГц) |
| Pd | 156 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
G1N65R035TB-N – нормально закритий GaN-транзистор на 650 В у корпусі TO-247. Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі TP65H035G4WS (RENESAS): GaN HEMT каскод із кремнієвим MOSFET, Gen IV SuperGaN. Напруга Vdss – 650 В при TJ –55…150 °C, імпульсна Vdss(TR) – 800 В (одноразовий викид менше 30 мкс). Струм стоку Id – 46 А при TC 25 °C і 29 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on)eff типово 35 мОм при VGS 10 В, ID 30 А, TJ 25 °C. Заряд затвора Qg типово 22 нКл при VDS 400 В. Вхідна ємність Ciss типово 1500 пФ (Vds 400 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 156 Вт при TC 25 °C.
Стан: оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. За назвою товару G1N65R035TB-N може замінити TP65H035G4WS; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Серверні та промислові блоки живлення (Datacom, broad industrial)
- Інвертори для фотоелектричних панелей, сервоприводи
- Безмостовий totem-pole PFC для AC-DC
Чим замінити G1N65R035TB-N?
Потрібен GaN-транзистор у корпусі TO-247 на 650 В з близькими струмом і Rds(on). Порівнюйте за datasheet обох деталей, окремо дивіться на вимоги до драйвера затвора.
Які деталі може замінити G1N65R035TB-N?
За назвою товару G1N65R035TB-N може замінити TP65H035G4WS. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Яка технологія у G1N65R035TB-N?
За даташитом найближчої деталі TP65H035G4WS – GaN HEMT каскод із кремнієвим MOSFET, нормально закритий. Точні параметри саме цього екземпляра порівнюйте за його маркуванням і документацією.
Найближчий datasheet: TP65H035G4WS (RENESAS).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.