Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1P ) оригінал, TO220
94,00 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
24 в наявності
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G028N10 (HYG028N10, HYG028N10NS1P) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі TO220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id | 230 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=50 А) | 2,6 мОм (тип.), 3,3 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2 (мін.), 3 (тип.), 4 (макс.) В |
| Qg | 176 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
G028N10 (HYG028N10, HYG028N10NS1P) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI у корпусі TO-220 (TO-220FB-3L). Напруга стік-витік Vdss – 100 В (мінімум при Vgs=0 В, Ids=250 мкА). Струм стоку Id – 230 А (за заголовком datasheet). Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,6 мОм (тип.) і 3,3 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=50 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В (3 В тип.) при Vds=Vgs, Ids=250 мкА. Заряд затвора Qg – 176 нКл (тип.) при Vds=80 В, Vgs=10 В, Id=50 А. Вхідна ємність Ciss типово 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не менше 100 В і порівнюйте Id та Rds(on) при однаковому Vgs. Якщо в заміни заряд затвора Qg суттєво більший, може знадобитися інший драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні застосування потужності (Power Switching)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Керування двигунами (Motor Control)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити G028N10?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не менше 100 В. Порівнюйте Id, Rds(on) при Vgs=10 В і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи підходить G028N10 для керування двигуном або ДБЖ?
У datasheet виробника вказано застосування: комутація потужності, джерела безперебійного живлення (UPS) та керування двигунами (Motor Control).
Який опір відкритого каналу у G028N10?
Rds(on) – 2,6 мОм (тип.) і 3,3 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=50 А.
Документація виробника: HYG028N10NS1P/B, V1.0.
Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI (HYG028N10NS1P/B, V1.0). Імпульсний струм, Id при 100 °C, Pd, Tj max і Vgss не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.

Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.