Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1P ) оригінал, TO220

94,00 ₴

24 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

24 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

G028N10 (HYG028N10, HYG028N10NS1P) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі TO220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET, режим збагачення
ВиробникHUAYI
КорпусTO-220FB-3L
Напруга Vdss100 В
Струм Id230 А
Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=50 А)2,6 мОм (тип.), 3,3 мОм (макс.)
Vgs(th)2 (мін.), 3 (тип.), 4 (макс.) В
Qg176 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

G028N10 (HYG028N10, HYG028N10NS1P) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI у корпусі TO-220 (TO-220FB-3L). Напруга стік-витік Vdss – 100 В (мінімум при Vgs=0 В, Ids=250 мкА). Струм стоку Id – 230 А (за заголовком datasheet). Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,6 мОм (тип.) і 3,3 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=50 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В (3 В тип.) при Vds=Vgs, Ids=250 мкА. Заряд затвора Qg – 176 нКл (тип.) при Vds=80 В, Vgs=10 В, Id=50 А. Вхідна ємність Ciss типово 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не менше 100 В і порівнюйте Id та Rds(on) при однаковому Vgs. Якщо в заміни заряд затвора Qg суттєво більший, може знадобитися інший драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні застосування потужності (Power Switching)
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Керування двигунами (Motor Control)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити G028N10?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не менше 100 В. Порівнюйте Id, Rds(on) при Vgs=10 В і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи підходить G028N10 для керування двигуном або ДБЖ?

У datasheet виробника вказано застосування: комутація потужності, джерела безперебійного живлення (UPS) та керування двигунами (Motor Control).

Який опір відкритого каналу у G028N10?

Rds(on) – 2,6 мОм (тип.) і 3,3 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=50 А.

Datasheet

Документація виробника: HYG028N10NS1P/B, V1.0.

Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI (HYG028N10NS1P/B, V1.0). Імпульсний струм, Id при 100 °C, Pd, Tj max і Vgss не наведено.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG028N10NS1P/B, V1.0 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.