Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP20N50A оригінал (заміна для FTP20N50C ) , TO220
164,50 ₴
28 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
28 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FTP20N50A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 500 В, 20 А у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж. Заміна для FTP20N50C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 175 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FTP20N50A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. Точного даташиту на FTP20N50A не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі PTP20N50A (PIP) у тому самому корпусі: напруга стік–витік Vds 500 В, напруга затвор–витік ±30 В, струм стоку Id 20 А (Tc = 25 °C). Потужність розсіювання Pd 175 Вт, тепловий опір перехід–корпус 0,71 °C/Вт, температура переходу від –55 до +150 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0,24 Ом типово і не більше 0,3 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, заряд затвора Qg 65 нКл, вхідна ємність Ciss 2670 пФ. Вбудований швидкий діод має пряму напругу не більше 1,5 В при струмі 20 А.
За даташитом такі транзистори ставлять у зарядні пристрої, адаптери й імпульсні блоки живлення. Оригінал, не демонтаж. За назвою товару FTP20N50A – заміна для FTP20N50C; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом PTP20N50A зліва направо G – затвор, D – стік, S – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- зарядні пристрої й адаптери
- імпульсні блоки живлення
- живлення LCD-панелей
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FTP20N50A?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з напругою стік–витік не нижче 500 В, струмом стоку не нижче 20 А і опором відкритого каналу не вищим за 0,3 Ом. Параметри FTP20N50A наведено за даташитом PTP20N50A, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Чи можна ставити FTP20N50A замість FTP20N50C?
За назвою товару FTP20N50A може замінити FTP20N50C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Звідки параметри FTP20N50A?
Точного даташиту на FTP20N50A не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – PTP20N50A (PIP), корпус TO-220. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: PTP20N50A (PIP).
Точного даташиту на FTP20N50A не знайдено. Найближчий схожий даташит – PTP20N50A (PIP), корпус TO-220.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.