Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NR1B ) оригінал (заміна для 020N04 , BR 020N04 , BR020N04), D2PAK
216,20 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G020N04 (HYG020N04, HYG020N04NR1B) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі D2PAK. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 156 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=40 А) | 1,9 мОм (тип.), 2,4 мОм (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Qg | 110 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4392 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
G020N04 (HYG020N04, HYG020N04NR1B) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI у корпусі TO-263-2L (D2PAK). Напруга стік-витік Vdss – 40 В (мінімум при Vgs=0 В, Ids=250 мкА), напруга затвор-витік Vgss – ±25 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 220 А при Tc 25 °C і 156 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 600 А при Tc 25 °C (обмежено Tj max). Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,9 мОм (тип.) і 2,4 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=40 А, Tc 25 °C. Вхідна ємність Ciss типово 4392 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C.
Оригінал, не демонтаж. У назві товару вказано: заміна для 020N04, BR 020N04, BR020N04. G020N04 може замінити ці позначення. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну, порівнюйте Vdss, Id, Rds(on) при однаковому Vgs і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні застосування (Switching application)
- Захист літієвих батарей (Li-battery protection)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що може замінити G020N04?
За назвою товару G020N04 може замінити 020N04, BR 020N04, BR020N04. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як підібрати заміну для G020N04?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vdss не менше 40 В. Порівнюйте також Id, Rds(on) при Vgs=10 В і заряд затвора Qg (110 нКл тип. у G020N04): при більшому Qg може знадобитися інший драйвер.
Який опір відкритого каналу у G020N04?
Rds(on) – 1,9 мОм (тип.) і 2,4 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=40 А, Tc 25 °C.
Документація виробника: HYG020N04NR1P/B, V1.0.
Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI (HYG020N04NR1P/B, V1.0); дату випуску документа не вказано.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.