Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20N50C ( SiHG20N50C ) оригінал, TO247
164,50 ₴
27 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
27 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G20N50C – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO247 для імпульсних блоків живлення та PFC. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом (типове) при Vgs 10 В, Id 1 А |
| Qg | 45 нКл (типове) при Vds 480 В, Vgs 10 В, Id 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
G20N50C (SiHG20N50C) – N-канальний MOSFET у корпусі TO-247. Параметри наведено за даташитом SIHG20N50C (OSEN). Напруга Vds – 500 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C, безперервний. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,23 Ом (типове) при Vgs 10 В, Id 1 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 45 нКл (типове, максимум 62) при Vds 480 В, Vgs 10 В, Id 20 А. Вхідна ємність Ciss типово 3550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 250 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод є: Vsd не більше 1,4 В при Is 10 А, Vgs 0.
Товар оригінальний, не демонтаж. При виборі заміни порівнюйте тип каналу, корпус, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення високої ефективності
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти для ламп
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRFP23N50L | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 23 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.19 ≤ 1.3×0.23=0.299, корпус TO-247 = TO-247 | Qg удвічі більший – перевірте драйвер; демонтаж | Купити |
| FQA24N50C | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 24 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.156 ≤ 1.3×0.23=0.299, корпус TO-247 = TO-247 | Qg удвічі більший – перевірте драйвер | Купити |
| STW20NM60 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.25 ≤ 1.3×0.23=0.299, корпус TO-247 = TO-247 | демонтаж | Купити |
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.049 ≤ 1.3×0.23=0.299, корпус TO-247 = TO-247 | демонтаж | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G20N50C?
Підійде N-канальний MOSFET у TO-247 з Vds не нижче 500 В і струмом, Rds(on) та Qg не гіршими при Vgs 10 В. Якщо Qg вдвічі більший, перевірте драйвер. Кілька варіантів з каталогу є в таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить G20N50C для PFC і блоків живлення?
Так, для цієї деталі вказані імпульсні блоки живлення високої ефективності, PFC і електронні баласти для ламп.
Чи є в G20N50C вбудований діод?
Так, вбудований діод є: Vsd не більше 1,4 В при Is 10 А, Vgs 0.
Документація виробника: SIHG20N50C (OSEN).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.