Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор STW20NM60 ( W20NM60 , STW20NM60FD , W20NM60FD ) оригінал демонтаж, TO247

117,50 ₴

11 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

11 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STW20NM60 – N-канальний MOSFET STMicroelectronics (MDmesh) у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)20 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)12,6 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=10 А)250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.)
Vgs(th)3–5 В
Qg39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd (TC 25 °C)192 Вт
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

STW20NM60 (також W20NM60) – потужний N-канальний MOSFET STMicroelectronics за технологією MDmesh, корпус TO-247. Напруга Vds – 600 В, струм стоку Id – 20 А при TC 25 °C і 12,6 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3–5 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.) при VDD=400 В, ID=20 А. Вхідна ємність Ciss типово 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 192 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є, Vsd до 1,5 В при ISD=20 А.

Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, звіряйте канал (N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) і корпус TO-247, а також заряд затвора, від якого залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Потужні ключові N-канальні MOSFET (технологія MDmesh)
  • Високий dv/dt та стійкість до лавинного пробою
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
60R060P7 канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В max 60 ≤ 1.3×290=377 мОм, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте заряд затвора за datasheet і можливості драйвера Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити STW20NM60?

Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 600 В, струмом Id порівнянним із 20 А при TC 25 °C і Rds(on) не гіршим за 290 мОм при VGS=10 В. У нашому каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7). Перед заміною порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж: знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Як перевірити транзистор після монтажу?

Перед пайкою прозвоніть тестером переходи затвор–витік, затвор–стік і діод витік–стік: пробою та обриву бути не повинно. Номер на корпусі порівняйте з STW20NM60.

Який заряд затвора і чи потрібен потужний драйвер?

Qg – 39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.) при VDD=400 В, ID=20 А, VGS=0–10 В. Драйвер має давати достатній струм заряду затвора при VGS 10 В.

Datasheet

Документація виробника: DS2343 Rev 13.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5