Транзистори
Демонтаж
Транзистор IXFH26N50Q ( IXFH26N50 ) оригінал демонтаж(500V,26A,0.23R) , TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25…150 °C) |
| Струм Id25 | 26 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,20 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Заряд затвора Qg(on) | 95 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 250 нс макс. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH26N60Q ( IXFH26N60P , IXFH26N60 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25–150 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 26 А (Tc=25 °C), імпульсний 104 А |
| Опір Rds(on) | 0.25 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5·ID25) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл типово, макс. 200 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=4 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 360 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (trr макс. 250 нс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH30N50P ( IXFH30N50 , 30N50A , 30N50 ) оригінал демонтаж(500V,30A), TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, PolarHV HiPerFET |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 165 мОм (Vgs 10 В, Id 0.5·Id25; макс. 200 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 4 мА) |
| Потужність Pd | 460 Вт (Tc 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 200 нс макс. |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH34N65X2 ( IXTH34N65X2 , 34N65 ) оригінал демонтаж(650V,34A), TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (TJ 25–150 °C; VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id | 34 А при TC 25 °C |
| Rds(on) | до 100 мОм (VGS=10 В, ID=0.5·ID25, TJ 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.5–5.0 В (VDS=VGS, ID=2.5 мА) |
| Qg | 56 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3230 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 540 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH44N50P ( IXFH44N50 , 44N50 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 44 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 22 А, імпульсний вимір) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 658 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXGH48N60C3D1 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc = 25 °C, обмежено виводами); 48 А (Tc = 110 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,3 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 30 А, Vge = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 300 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1960 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний ультрашвидкий (FRED) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXGR32N60CD1 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Ic25 | 45 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic90 | 28 А (Tc 90 °C) |
| Vce(sat) | 2.3 В тип., макс. 2.7 В (IC=32 А, VGE=15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 2.5–5.0 В (IC=250 мкА, VCE=VGE) |
| Qg | 110 нКл тип. (IC=32 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces) |
| Вхідна ємність Cies | 2700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий, FRED) |
| trr діода | 25 нс тип. (IF=1 А, -di/dt=100 А/мкс, VR=30 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pc | 140 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXGR40N60C2D1 оригінал демонтаж б/в (заміна для IXGH40N60C2D1 ), TO-247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Ic25 | 56 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic110 | 26 А (Tc 110 °C) |
| Vce(sat) | 2.2 В тип., макс. 2.7 В (IC=30 А, VGE=15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3.0–5.0 В (IC=250 мкА, VCE=VGE) |
| Qg | 95 нКл тип. (IC=30 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий FRED, у версії D1) |
| trr діода | 25 нс тип. (IF=1 А, -di/dt=100 А/мкс, VR=30 В) |
| Потужність Pc | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXTH48N65X2 ( 48N65 ) оригінал демонтаж (заміна для PAJ65N950WMF )(650V,48A), TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм Id25 | 48 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 65 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg(on) | 76 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 660 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTP60N10T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 100 В (Tj 25–175 °C) |
| Струм Id | 60 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 14.8 мОм тип., 18 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 25 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | швидкий, trr 59 нс |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXTQ69N30P оригінал демонтаж(Заміна для FDA69N30 )(300V,69A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (Polar Power) |
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vdss | 300 В (TJ 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 69 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 49 мОм макс. (VGS 10 В, ID 0.5 × ID25, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 156 нКл тип., 180 нКл макс. (VGS 10 В, VDS 0.5 × VDSS, ID 0.5 × ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 4960 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–5.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 330 нс тип. (IF 25 А, -di/dt 100 А/мкс, VR 100 В, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXFH24N50 ( FH24N50 , IXFH24N50Q , FH24N50Q ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Vgs | ±20 В постійна; імпульсна ±30 В |
| Qg(on) | 135 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXGH32N60AU1 ( IXGH32N60CD1 ) оригінал, TO-247 б/в
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.9 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5.5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (FRED), антипаралельний |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXGH32N60B ( IXGH32N60A , IXGH32N60C ) оригінал, TO-247 б/в
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.5 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор J6920 ( J6920A , FJL6920 , FJL6920A ) , TO-264 оригінал демонтаж (Заміна 2SC5446 , 2SC5422 , 2SC5144 , 2SC5331 )
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 5.5–8.5 (Vce 5 В, Ic 11 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс (Ic 11 А, Ib 2.75 А) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор JCS11N90WT оригінал, TO247
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 900 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.90 Ом тип., 1.10 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл (Vds 720 В, Id 11 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 277 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS120N08 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C); 96 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 6.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 40 А, 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS12N60FT оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.56 Ом тип., 0.65 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл (Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 418 нс тип. (Is 12 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS4N60F оригінал, TO220F
В наявності
45,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 4,0 А (Tc 25 °C), 2,5 А (Tc 100 °C) |
| Idm | 16 А |
| Rds(on) | 2,0 Ом, макс. 2,5 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 710 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 33 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj | –55…+150 °C |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS50N06FH оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 50 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 31.7 А |
| Опір Rds(on) | 19 мОм, макс. 23 мОм (Vgs 10 В, Id 25 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 56 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 200 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS88N75 ( JCS88N75I ) оригінал (Заміна для MSN0880K ), TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (ID=250 мкА, VGS=0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 64 А |
| Rds(on) | 7 мОм тип., 9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл тип. (VDS=50 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS9N90FT ( заміна для FQPF9N90CT , SVF9N90F , CS9N90F , AOTF9N90 , TF9N90 , FIR9N90F , HM9N90F ) оригінал(900V,9A), TO220F
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В |
| Струм Id при Tc 25 °C | 9 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 6.0 А |
| Rds(on) | 1.18 Ом типово, 1.35 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (Vds 720 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JJ SH1509A ( JMSH1509AC-U ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм Id (25 °C) | 90 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 55 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. / макс. | 9.0 / 10.9 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) мін. / тип. / макс. | 2.5 / 3.2 / 4.5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 179 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2181 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JNG25N120HS оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм колектора Ic | 45 А при TC = 25 °C, 25 А при TC = 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В, макс. 2,5 В (VGE = 15 В, IC = 25 А, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VCC = 960 В, VGE = 15 В, IC = 25 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Jiaen (JIAENSEMI) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT015N065FED ( 015N065FED ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при 100 °C | 15 А |
| Vce(sat) типово | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0–6.5 В |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 31 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065FED ( 030N065FED ) оригінал, TO220F
В наявності
117,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,75 В при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 64,5 нКл при Vcc 520 В, Ic 30 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf, типово | 44 нс при Vcc 400 В, Ic 30 А, Rg 7,9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 46 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065WED ( 030N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.75 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 30 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В) | 64.5 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT075N065WED ( 075N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.7 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5012 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JVC085T ( VC085T ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік-витік Vds | 80 В |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 126 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 79 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 5,7 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0 / 3,0 / 4,0 В (мін. / тип. / макс.; Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs 0–10 В, Vds 40 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3503 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 173 Вт (Tc 25 °C), 69 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 57 нс (If 15 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K10N60A ( SKB10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (100 °C) | 10,6 А |
| Потужність Ptot | 92 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Vce(sat) | 2,0 В тип., 2,4 В макс. (Vge 15 В, Ic 10 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4,0 В тип. (Ic 300 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (Vcc 480 В, Ic 10 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний EmCon, швидкий з м’яким відновленням |
| Vf діода | 1,4 В тип. (If 10 А, Tj 25 °C) |
| trr діода | 220 нс (Vr 200 В, If 10 А, di/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K10T60 ( IKB10N60T ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 24 А |
| Струм Ic (100 °C) | 18 А |
| Потужність Ptot | 110 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,1–5,7 В, тип. 4,6 В (Ic = 0,3 мА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 62 нКл (Vcc = 480 В, Ic = 10 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 551 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний швидкий Emitter Controlled HE |
| Vf діода | 1,6 В тип., 2,0 В макс. (If = 10 А, Tj = 25 °C) |
| trr діода | 115 нс (Tj = 25 °C, Vr = 400 В, If = 10 А, diF/dt = 880 А/мкс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K40T120 ( IKW40T120 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 75 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |