Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS4N60F оригінал, TO220F
45,59 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JCS4N60F оригінал – N-канальний MOSFET на 600 В і 4 А у корпусі TO-220F для імпульсних блоків живлення, баластів та UPS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 4,0 А (Tc 25 °C), 2,5 А (Tc 100 °C) |
| Idm | 16 А |
| Rds(on) | 2,0 Ом, макс. 2,5 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 710 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 33 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj | –55…+150 °C |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
JCS4N60F – N-канальний MOSFET виробництва Jilin Sino-Microelectronics у корпусі TO-220F. Цифри – за даташитом JCS4N60 (ред. 201510E). Напруга стік–витік Vds – 600 В при Id 250 мкА і Vgs 0 В. Струм стоку Id – 4,0 А при Tc 25 °C і 2,5 А при Tc 100 °C (обмежений температурою переходу), імпульсний Idm – 16 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 2,0 Ом (макс. 2,5 Ом) при Vgs 10 В і Id 2 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 27 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 710 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 33 Вт при Tc 25 °C, напруга затвор–витік Vgs – ±30 В, діапазон температур переходу – від –55 до +150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни дивіться на тип каналу (N), корпус TO-220F, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення високої ефективності
- Електронні баласти для ламп на напівмостовій схемі
- UPS
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| SVF12N60F | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 12 ≥ 0.8×4=3.2, Rds(on) Vgs 10 В max 0.58 ≤ 1.3×2=2.6, корпус TO-220F = TO-220F | Qg вищий (34 нКл проти 27 нКл): перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JCS4N60F?
У нашому каталозі є SVF12N60F: канал N, Vds 600 В, Id вищий, Rds(on) не гірший. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить JCS4N60F для блоків живлення?
Так, у даташиті названо імпульсні блоки живлення високої ефективності, електронні баласти для ламп на напівмостовій схемі та UPS.
Який струм дає JCS4N60F при нагріві?
4,0 А при Tc 25 °C і 2,5 А при Tc 100 °C. Для розрахунку на нагрів беріть друге значення.
Документація виробника: JCS4N60F (JILIN SINO-MICROELECTRONICS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.