Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IXFH26N60Q ( IXFH26N60P , IXFH26N60 ) оригінал демонтаж, TO247
345,92 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IXFH26N60Q – N-канальний польовий транзистор IXYS у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25–150 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 26 А (Tc=25 °C), імпульсний 104 А |
| Опір Rds(on) | 0.25 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5·ID25) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл типово, макс. 200 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=4 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 360 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (trr макс. 250 нс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IXFH26N60Q (IXFH26N60P, IXFH26N60) – N-канальний MOSFET виробництва IXYS у корпусі TO-247 AD, серія HiPerFET Q-Class. За даташитом (IXFH 26N60Q, IXYS, 98635D, 6/02): напруга Vds 600 В при TJ=25–150 °C, струм стоку Id 26 А при Tc=25 °C, імпульсний 104 А. Опір Rds(on) максимум 0.25 Ом при VGS=10 В, ID=0.5·ID25. Заряд затвора Qg типово 150 нКл (максимум 200 нКл) при VGS=10 В, VDS=0.5·VDSS, ID=0.5·ID25. Вхідна ємність Ciss типово 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) 2.5–4.5 В при VDS=VGS, ID=4 мА. Потужність розсіювання 360 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод швидкий: trr максимум 250 нс, VSD максимум 1.5 В.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Параметри в даташиті наведено лише для IXFH26N60Q. Для заміни шукайте N-канальний транзистор у TO-247 з Vds не нижче 600 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Серія HiPerFET Q-Class: N-канальний MOSFET із режимом збагачення, лавинна стійкість, високий dv/dt, малий заряд затвора, швидкий вбудований діод
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×26=20.8, Rds(on) Vgs 10 В max 0.06 ≤ 1.3×0.25=0.325, корпус TO-247 = TO-247 | Qg у нього менший; узгодження з драйвером і параметри діода звіряйте за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IXFH26N60Q?
У нашому каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7) у TO-247: той самий канал, Vds 600 В, Id 48 А, Rds(on) максимум 0.06 Ом. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи підходять IXFH26N60P та IXFH26N60?
Ці номери вказано в назві товару. В даташиті, за яким складено картку, вони не згадуються, параметри наведено лише для IXFH26N60Q, тому порівнюйте datasheet самостійно.
Який у вбудованого діода час відновлення?
trr максимум 250 нс при IF=IS, –di/dt=100 А/мкс, VR=100 В.
Документація виробника: IXFH26N60Q (IXYS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.