Транзистори
Транзистор 2SK3562 оригінал, TO220F
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 600 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 6 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.9 Ом (VGS = 10 В, ID = 3 А) |
| Rds(on) максимум | 1.25 Ом (VGS = 10 В, ID = 3 А) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 3.125 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3564 ( K3564 ) оригінал, TO220F
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В (Ta 25 °C; V(BR)DSS при ID 10 мА, VGS 0 В) |
| Струм стоку Id (DC) | 3 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Idp | 9 А (Ta 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 3.7 Ом тип., 4.3 Ом макс. (VGS 10 В, ID 1.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 3 А, тип.) |
| Порогова напруга Vth | 2.0–4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Розсіювана потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура каналу Tch max | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgss | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (VDS 25 В, VGS 0 В, f 1 МГц, тип.) |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK3568 оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id (Ta 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6 А) | 0.4 Ом (тип.), 0.52 Ом (макс.) |
| Vth (Vds 10 В, Id 1 мА) | 2.0–4.0 В |
| Qg | 42 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 40 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Vgss макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3568 оригінал, TO220F
В наявності
82,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 500 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.4 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Rds(on) максимум | 0.52 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 3.125 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3569 оригінал (600V,10A), TO220F
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 600 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 10 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.54 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Rds(on) максимум | 0.75 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.78 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3683 ( K3683 ) оригінал, TO220F
В наявності
127,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 19 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.29 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл тип. (VCC 250 В, ID 19 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1560 пФ |
| Потужність Pd | 97 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор 2SK3878 ( K3878 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 9 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 1.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Rds(on) макс. | 1.38 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| RthJC | 0.83 °C/Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3878 ( K3878 ) оригінал, TO-3P
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга стік–витік BVdss | 900 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, Tj 25 °C) |
| Струм стоку ID | 9 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 1,20 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Rds(on) максимум | 1,38 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3919 оригінал, D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | NEC |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга стік–витік Vds | 25 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 64 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) при 10 В | 5,6 мОм макс., типово 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 32 А) |
| Rds(on) при 5 В | 13,7 мОм макс., типово 6,8 мОм (VGS = 5 В, ID = 16 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDD = 20 В, VGS = 10 В, ID = 64 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2050 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(off) | 2,0–3,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 36 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK4075 (40V,60A,52W,0.01R) , D-Pak
В наявності
21,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування |
| Виробник | NEC |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга стік–витік Vds | 40 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 60 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) при 10 В | 6,7 мОм макс., типово 5,2 мОм (VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 10 мОм макс., типово 7,2 мОм (VGS = 4,5 В, ID = 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип. (VDD = 32 В, VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(off) | 1,5–2,5 В, типово 2,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 52 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| trr діода | 33 нс тип. (IF = 60 А, VGS = 0 В, di/dt = 100 А/мкс) |
Транзистор 2SK4106 ( K4106 ) оригінал, TO220F
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, MOSVI |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220F (SC-67, 2-10R1B) |
| Напруга Vds | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 12 А (Ta 25 °C), імпульсний 48 А (1 мс) |
| Rds(on) | 0,4 Ом тип., 0,52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK4107 ( K4107 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
77,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (VDSS) |
| Струм стоку Id | 15 А (DC, Ta 25 °C; імпульсний IDP 60 А) |
| Rds(on) | 0.33 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7.0 А) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Тип каналу | N |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK4145 ( K4145 ) оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Renesas (NEC) |
| Напруга Vdss (Vgs 0 В) | 60 В |
| Струм Id DC (Tc 25 °C) | 84 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 42 А) | 7 мОм (тип.), 10 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds 10 В, Id 1 мА) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 84 А) | 90 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Час відновлення діода trr (If 84 А, Vgs 0 В) | 43 нс |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 84 Вт |
| Температура каналу Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 30N60FL ( NGTB30N60FLWG , 30N60FL2 , NGTB30N60FL2WG ), TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, IC 30 А, TJ 25 °C) | 1.65 В |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4200 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор 3N0406 ( IPB80N04S3-06 ) оригінал, TO263
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В; обмежено виводами) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 71 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 4,3 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 80 А, версія SMD |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) при VDS = VGS, ID = 52 мкА |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.), 47 нКл (макс.) при VDD = 32 В, ID = 80 А, VGS = 0…10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ |
| Потужність Ptot | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 34 нс (тип.) при VR = 20 В, IF = IS, diF/dt = 100 А/мкс |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 40N120FL3 ( NGTB40N120FL3WG ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мін.) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) | 1.7 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C, типове) |
| Eoff | 1.1 мДж (VCC = 600 В, IC = 40 А, Rg = 10 Ом, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge | ±20 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 454 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4912 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC = 100 °C) | 227 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | вбудований швидкий, м’яке відновлення |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 40N60FD1 ( SGT40N60FD1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
113,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 100 мкА) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,7 В макс. (VGE 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. (VCE 300 В, Ic 40 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 40N60FL ( NGTB40N60FLWG , 40N60FL2 , NGTB40N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мін.) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) (Tj 25 °C) | 1.7 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, типове) |
| Vce(sat) (Tj 175 °C) | 1.85 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, типове) |
| Vge | ±20 В |
| Vge(th) | 5.5 В (VGE = VCE, IC = 350 мкА, типове; діапазон 4.5–6.5 В) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCE = 480 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4060 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Vf діода | 2.2 В (IF = 40 А, Tj 25 °C, типове) |
| trr діода | 72 нс (IF = 40 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стійкість до КЗ | 5 мкс (VGE = 15 В, VCE = 400 В) |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,9 В (тип.) при IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Час спаду tf | 0,15 мкс (тип.), 0,35 мкс (макс.) |
| Вбудований діод | є, RC-IGBT |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (тип.), 2,7 В (макс.) при IF 15 А |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 4500 пФ |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор 4N04R8 ( IPLU300N04S4-R8 ) оригінал, H-PSOF-8-1
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET N-канал (OptiMOS-T2, automotive) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID (TC 25 °C, VGS=10 В) | 300 А |
| Струм ID (TC 100 °C, VGS=10 В) | 300 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=100 А, Tj 25 °C) | 0.77 мОм |
| Qg (VDD=32 В, ID=300 А, VGS 0…10 В) | 221 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 17650 пФ |
| Потужність Ptot (TC 25 °C) | 429 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TOLL |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 50G60HD ( FGW50N60HD , FGW50G60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 95 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) | 1.50 В (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 360 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 305 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 5R199P ( IPP50R199CP ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 0.18 Ом (тип.), 0.199 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 9,9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 139 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор 60G65W ( FGW60N65W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT-транзистор без вбудованого діода |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 83 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.80 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А) |
| Потужність Pd | 405 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60G65WE ( FGW60N65WE ) оригінал ( заміна для 60G65WD , RGT60TS65D ), TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 83 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.80 В (typ, Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 405 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 250 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60R070F7 ( IPW60R070CFD7 ) оригінал, TO247
В наявності
493,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolMOS CFD7 |
| Тип каналу | N-канал |
| Маркування на корпусі | 60R070F7 |
| Тип за datasheet | IPW60R070CFD7 |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 650 В (при Tj,max) |
| Пробивна напруга V(BR)DSS | 600 В мін. (VGS=0 В, ID=1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 31 А (TC=25 °C); 20 А (TC=100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 129 А (TC=25 °C) |
| Rds(on) макс. | 70 мОм (VGS=10 В, ID=15,1 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл (VDD=400 В, ID=11 А, VGS 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2721 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Вбудований діод | швидкий (fast body diode) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R290P ( MMF60R290P ) оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (super junction) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0.25 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8.3 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.26 Ом тип., 0.29 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6.0 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS = VGS, ID = 0.25 мА |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 13 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1102 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 33 Вт (за таблицею абсолютних максимумів, температура корпуса не вказана) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R360Q ( MMD60R360Q ) оригінал, DPAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N (super junction) |
| Напруга Vds | 600 В (650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7 А |
| Rds(on) | 0.32 Ом тип., 0.36 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.8 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 742 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 76 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr | 218 нс (ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Vsd | 1.4 В макс. (ISD 11 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R580P ( MMF60R580P ) оригінал, TO220F
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip Semiconductor |
| Тип | N-канальний MOSFET, суперперехід |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 8 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 5 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=2.5 А, Tc=25 °C) | 0,58 Ом |
| Заряд затвора Qg (ID=8 А) | 18 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) (VDS=VGS, ID=250 мкА) | 2…4 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60S360P7 ( IPD60R360P7S ) оригінал , D-PAK
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS P7 |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=1 мА, Tj=25 °C) | 600 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 9 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 6 А |
| Імпульсний струм Id,pulse | 26 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=2.7 А, Tj=25 °C) | 360 мОм |
| Заряд затвора Qg (VDD=400 В, ID=2.7 А) | 13 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 555 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Vgs(th) (VDS=VGS, ID=0,14 мА) | 3…4 В |
| Потужність Ptot (TC=25 °C) | 41 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60S600CE ( IPAW60R600CE ) оригінал, PG-TO220 FullPAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (CoolMOS CE) |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (Tc = 25 °C) | 10,3 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C) | 6,5 А |
| Rds(on) макс. | 0,60 Ом (VGS = 10 В, ID = 2,4 А) |
| Розсіювана потужність | 28 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 444 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Корпус | PG-TO220 FullPAK Wide Creepage |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 65F6048A ( IPW65R048CFDA ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
139,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.) |
| Струм Id | 63,3 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0,043 Ом тип., 0,048 Ом макс. (VGS=10 В, ID=29,4 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,5–4,5 В (тип. 4 В) при VDS=VGS, ID=2,9 мА |
| Заряд затвора Qg | 270 нКл (VDD=480 В, ID=44,2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7440 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr діода | 240 нс (VR=400 В, IF=44,2 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 65R280Q ( MME65R280Q ) оригінал, D2PAK (700V,13.8A)
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (super junction) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА); 700 В при Tj max |
| Струм Id | 13,8 А (Tc 25 °C); 8,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом макс.; 0,25 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 4,4 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 27,8 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 520 В, Id 13,8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 104,2 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65S1K5CE ( IPA65R1K5CE ) оригінал, TO220F
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Серія | CoolMOS CE |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5.2 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3.3 А |
| Rds(on) | 1.26 Ом (тип., VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 10.5 нКл (тип., VDD=480 В, ID=1.5 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 225 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (ID=0.1 мА) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |