Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 3N0406 ( IPB80N04S3-06 ) оригінал, TO263
200,22 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
3N0406 (IPB80N04S3-06) – N-канальний польовий транзистор Infineon OptiMOS-T в корпусі TO263. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В; обмежено виводами) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 71 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 4,3 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 80 А, версія SMD |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) при VDS = VGS, ID = 52 мкА |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.), 47 нКл (макс.) при VDD = 32 В, ID = 80 А, VGS = 0…10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ |
| Потужність Ptot | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 34 нс (тип.) при VR = 20 В, IF = IS, diF/dt = 100 А/мкс |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
3N0406 (IPB80N04S3-06) – N-канальний MOSFET Infineon серії OptiMOS-T у корпусі PG-TO263-3-2 (D2PAK), AEC-Q101. За даташитом Vds складає 40 В (мін.) при VGS = 0 В, ID = 1 мА. Струм стоку Id – 80 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмежено виводами, кристал тягне до 100 А) і 71 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) – 4,3 мОм (тип.) і 5,4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 80 А, версія SMD. Порогова напруга Vgs(th) – 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) при VDS = VGS, ID = 52 мкА. Заряд затвора Qg – 36 нКл (тип.) і 47 нКл (макс.) при VDD = 32 В, ID = 80 А. Вхідна ємність Ciss типово 2500 пФ. Потужність Ptot – 100 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни порівняйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус TO263. Прямі заміни за даними виробника – IPI80N04S3-06 та IPP80N04S3-06, але це версії в інших корпусах. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.
Де застосовують
- Автомобільний (AEC-Q101) N-канальний OptiMOS-T транзистор 40 В
Чим замінити 3N0406?
3N0406 – це маркування IPB80N04S3-06. За даними виробника, є версії IPI80N04S3-06 та IPP80N04S3-06 тієї ж серії, але в інших корпусах, тому для TO263 вони не підходять. Для TO263 шукайте N-канальний MOSFET з Vds не нижче 40 В, потрібним Id і Rds(on) не гіршим при VGS = 10 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що означає маркування 3N0406 на корпусі?
За даташитом, на корпусі PG-TO263-3-2 деталь IPB80N04S3-06 маркується 3N0406.
Чому Id 80 А, якщо кристал тягне більше?
Даташит вказує 80 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В: цей струм обмежено виводами, кристал тягне до 100 А.
Документація виробника: IPB80N04S3-06 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.