Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R580P ( MMF60R580P ) оригінал, TO220F
112,80 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
60R580P (MMF60R580P) – N-канальний MOSFET Magnachip з суперпереходом на 600 В у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip Semiconductor |
| Тип | N-канальний MOSFET, суперперехід |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 8 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 5 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=2.5 А, Tc=25 °C) | 0,58 Ом |
| Заряд затвора Qg (ID=8 А) | 18 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) (VDS=VGS, ID=250 мкА) | 2…4 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
60R580P (MMF60R580P) – N-канальний MOSFET із суперпереходом виробництва Magnachip Semiconductor у корпусі TO-220F. Напруга стік-витік 600 В. Струм стоку 8 А при TC=25 °C і 5 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0,58 Ом (типово 0,53 Ом) при VGS=10 В, ID=2.5 А, Tc=25 °C. Заряд затвора Qg типово 18 нКл при ID=8 А. Вхідна ємність Ciss типово 575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) 2…4 В (типово 3 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА. Максимальна температура переходу 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівнюйте з datasheet напругу, струм, Rds(on) при однаковому Vgs, заряд затвора Qg та розпіновку в корпусі TO-220F. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Каскади PFC у блоках живлення
- Комутаційні застосування
- Адаптери
- Керування двигунами
Чим замінити 60R580P (MMF60R580P)?
Шукайте N-канальний MOSFET у TO-220F з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 600 В, Id не менше за 8 А при TC=25 °C, Rds(on) при VGS=10 В не гірший за 0,58 Ом. Остаточно звіряйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити цей транзистор?
Тестером у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути внутрішній діод, а затвор ізольований від інших виводів. Порогова напруга Vgs(th) 2…4 В при VDS=VGS, ID=250 мкА.
Яке маркування на корпусі?
Маркування 60R580P, замовний код MMF60R580PTH.
Документація виробника: MMF60R580P Datasheet, Revision 1.7.
Напругу 600 В наведено за таблицею продукції виробника Magnachip.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.