Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3568 оригінал, TO220F
82,25 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SK3568 – N-канальний польовий транзистор Toshiba, 500 В, 12 А (Tc 25 °C), корпус TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 500 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.4 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Rds(on) максимум | 0.52 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 3.125 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
2SK3568 – потужний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва Toshiba в ізольованому корпусі TO-220F. Напруга стік–витік Vdss – 500 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В), струм стоку ID – 12 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0.4 Ом, максимум 0.52 Ом при VGS = 10 В, ID = 6 А. Заряд затвора Qg – 42 нКл при VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В; порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VDS = 10 В, ID = 1 мА. Вхідна ємність Ciss типово 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 40 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу – 150 °C, напруга затвор–витік VGSS – ±30 В.
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте за datasheet напругу Vdss, струм ID, опір Rds(on) і заряд затвора Qg. Потрібен такий самий корпус TO-220F з тією самою розпіновкою. Якщо заряд затвора в заміни більший, перевірте, чи впорається драйвер.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити 2SK3568?
Підбирайте транзистор з N-каналом у корпусі TO-220F, у якого Vdss не нижча за 500 В, а струм ID і опір Rds(on) порівнянні. Перед заміною порівняйте datasheet обох деталей.
Для чого використовують 2SK3568?
За даташитом Toshiba – в імпульсних регуляторах напруги.
Яка напруга та струм у 2SK3568?
Vdss – 500 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В), ID – 12 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) типово 0.4 Ом при VGS = 10 В, ID = 6 А.
Документація виробника: 2SK3568 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод SF28 (600V,2A,35ns)( Заміна для SF18 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JSCJ (Jiangsu Changjing Electronics Technology) |
| Тип | Діод швидкий (Super Fast Recovery), одиночний |
| Корпус | DO-15 |
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 600 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 2,0 А (60 Гц напівсинусоїда, активне навантаження, TL 55 °C) |
| Ударний прямий струм IFSM | 50 А (60 Гц напівсинусоїда, 1 період, Ta 25 °C) |
| Пряма напруга VFM | 1,7 В макс. (IFM 2,0 А) |
| Час відновлення trr | 35 нс (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Зворотний струм IRRM | 5 мкА (TJ 25 °C), 50 мкА (TJ 125 °C), VRM = VRRM |
| Діапазон температур | -55…+150 °C |
Транзистор 2SK3569 оригінал (600V,10A), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 600 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 10 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.54 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Rds(on) максимум | 0.75 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.78 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.