Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 6060V5 ( GN6060V5DP-E ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
169,20 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
6060V5 ( GN6060V5DP-E ) – IGBT-транзистор у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
6060V5 ( GN6060V5DP-E ) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі TO-3P. Такі деталі використовують як силові ключі в перетворювачах, інверторах і блоках живлення. Ця сторінка описує одну конкретну позицію: Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. У назві також вказано позначення GN6060V5DP-E. Електричні параметри цієї моделі (робочу напругу, струм, спад напруги у відкритому стані, наявність вбудованого діода) ми не публікуємо, поки не підтверджено їх за документацією виробника.
Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, візьміть точне маркування з корпусу вашої деталі та порівняйте його з документацією виробника: важливі допустима напруга колектор–емітер, струм колектора, спад напруги у відкритому стані, наявність діода в корпусі та розпіновка виводів. Корпус має збігатися з TO-3P. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня. Якщо не впевнені у сумісності, напишіть нам маркування вашої плати або старої деталі, і ми допоможемо звірити.
Чим замінити 6060V5?
Аналоги за параметрами ми не підбираємо, бо параметри 6060V5 не підтверджені документацією. Для заміни звірте напругу, струм, наявність діода та розпіновку за документацією виробника.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати та перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Який корпус у 6060V5?
Корпус TO-3P.
Як швидко відправляєте?
Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.