Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор 40N60FL ( NGTB40N60FLWG , 40N60FL2 , NGTB40N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в , TO247

164,50 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

40N60FL (NGTB40N60FLWG, 40N60FL2, NGTB40N60FL2WG) – IGBT-транзистор onsemi 600 В, 80 А у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мін.)
Струм Ic (TC = 25 °C)80 А
Струм Ic (TC = 100 °C)40 А
Імпульсний струм Icm160 А
Vce(sat) (Tj 25 °C)1.7 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, типове)
Vce(sat) (Tj 175 °C)1.85 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, типове)
Vge±20 В
Vge(th)5.5 В (VGE = VCE, IC = 350 мкА, типове; діапазон 4.5–6.5 В)
Заряд затвора Qg170 нКл (VCE = 480 В, IC = 40 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies4060 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Vf діода2.2 В (IF = 40 А, Tj 25 °C, типове)
trr діода72 нс (IF = 40 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, Tj 25 °C)
Стійкість до КЗ5 мкс (VGE = 15 В, VCE = 400 В)
Виробникonsemi
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

40N60FL (NGTB40N60FLWG, 40N60FL2, NGTB40N60FL2WG) – IGBT-транзистор onsemi серії Field Stop II у корпусі TO-247. Параметри наведено за datasheet onsemi на NGTB40N60FL2WG. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мінімум). Струм колектора Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C, імпульсний Icm – 160 А (обмежений Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типово (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C) і 1.85 В типово при Tj 175 °C. Час стійкості до короткого замикання – 5 мкс (VGE = 15 В, VCE = 400 В). Порогова напруга затвора Vge(th) – 5.5 В типово (VGE = VCE, IC = 350 мкА, діапазон 4.5–6.5 В), повний заряд затвора Qg – 170 нКл (VCE = 480 В, IC = 40 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 4060 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Вбудований діод: Vf 2.2 В типово (IF = 40 А, Tj 25 °C), trr 72 нс (IF = 40 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, Tj 25 °C).

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати, її перевіряє інженер тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при TC = 100 °C, Vce(sat) і корпус TO-247 з вашою схемою. Напруга на затворі Vge – ±20 В постійна. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Сонячні інвертори
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Зварювання
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити 40N60FL?

Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з Vces не нижче 600 В і струмом Ic при TC = 100 °C не менше ніж у цієї деталі (40 А). Vce(sat) і заряд затвора звіряйте за datasheet.

Який діод усередині IGBT?

Вбудований діод: Vf 2.2 В типово при IF = 40 А і Tj 25 °C, trr 72 нс типово, струм If 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C.

Datasheet

Документація виробника: NGTB40N60FL2W, IGBT - Field Stop II, Rev. 2 (документ описує NGTB40N60FL2WG).

Параметри наведено за datasheet виробника (onsemi, NGTB40N60FL2W, Rev. 2, 2016-09).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NGTB40N60FL2W, IGBT - Field Stop II, Rev. 2 (документ описує NGTB40N60FL2WG) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Транзистор K50EF5 ( IKW50N65F5 ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
МаркуванняK50EF5
Напруга Vce650 В
Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено виводами)80 А
Струм Ic (Tc 100 °C)56 А
Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C)1,60 В типово
Вбудований діодє (RAPID1)
Ptot (Tc 25 °C)305 Вт
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.