Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60S360P7 ( IPD60R360P7S ) оригінал , D-PAK
112,80 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
60S360P7 (IPD60R360P7S) – N-канальний MOSFET Infineon CoolMOS P7 на 600 В у корпусі D-PAK. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS P7 |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=1 мА, Tj=25 °C) | 600 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 9 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 6 А |
| Імпульсний струм Id,pulse | 26 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=2.7 А, Tj=25 °C) | 360 мОм |
| Заряд затвора Qg (VDD=400 В, ID=2.7 А) | 13 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 555 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Vgs(th) (VDS=VGS, ID=0,14 мА) | 3…4 В |
| Потужність Ptot (TC=25 °C) | 41 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
60S360P7 (IPD60R360P7S) – N-канальний MOSFET із суперпереходом Infineon Technologies серії CoolMOS P7 у корпусі PG-TO252-3 (D-PAK). Напруга стік-витік не менше 600 В при VGS=0 В, ID=1 мА, Tj=25 °C. Струм стоку 9 А при TC=25 °C і 6 А при TC=100 °C, імпульсний струм 26 А. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 360 мОм (типово 300 мОм) при VGS=10 В, ID=2.7 А, Tj=25 °C. Заряд затвора Qg типово 13 нКл при VDD=400 В, ID=2.7 А. Вхідна ємність Ciss типово 555 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц). Порогова напруга Vgs(th) 3…4 В (типово 3,5 В) при VDS=VGS, ID=0,14 мА. Потужність розсіювання 41 Вт при TC=25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Стійкість до ESD за HBM понад 2 кВ.
Оригінал, не демонтаж. Позначка 60S360P7 на корпусі відповідає IPD60R360P7S у datasheet. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу, струм, Rds(on) при однаковому Vgs, заряд затвора Qg і розпіновку в корпусі D-PAK: це деталь для поверхневого монтажу. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Каскади PFC, жорстко-комутовані PWM-каскади та резонансні каскади: адаптери, ПК «Silverbox», LCD/PDP ТВ, освітлення, сервери, телеком, ДБЖ (UPS)
Чим замінити 60S360P7 (IPD60R360P7S)?
Шукайте N-канальний MOSFET у D-PAK з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 600 В, Id не менше за 9 А при TC=25 °C, Rds(on) при VGS=10 В не гірший за 360 мОм. Остаточно звіряйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити цей транзистор?
Тестером у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути внутрішній діод, а затвор ізольований від інших виводів. Порогова напруга Vgs(th) 3…4 В при VDS=VGS, ID=0,14 мА.
Чому на корпусі 60S360P7, а не IPD60R360P7S?
60S360P7 – маркування корпусу, воно відповідає IPD60R360P7S у datasheet Infineon.
Документація виробника: IPD60R360P7S, 600V CoolMOS P7 Power Transistor, Final Data Sheet Rev.2.2.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.