Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 40N120FL3 ( NGTB40N120FL3WG ) оригінал демонтаж б/в, TO247
197,40 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
40N120FL3 (NGTB40N120FL3WG) – IGBT-транзистор onsemi 1200 В, 80 А у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мін.) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) | 1.7 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C, типове) |
| Eoff | 1.1 мДж (VCC = 600 В, IC = 40 А, Rg = 10 Ом, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge | ±20 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 454 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4912 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC = 100 °C) | 227 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | вбудований швидкий, м’яке відновлення |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
NGTB40N120FL3WG (маркування 40N120FL3) – IGBT-транзистор onsemi серії Ultra Field Stop у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vces – 1200 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мінімум). Струм колектора Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C, імпульсний Icm – 160 А (обмежений Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типово (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C). Втрати вимкнення Eoff – 1.1 мДж (VCC = 600 В, IC = 40 А, Rg = 10 Ом, VGE = 15 В, Tj 25 °C, типове). Вхідна ємність Cies типово 4912 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 454 Вт при TC = 25 °C і 227 Вт при TC = 100 °C, Tj max – 175 °C. У корпус вбудований швидкий діод з м'яким відновленням.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати, її перевіряє інженер тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при TC = 100 °C, Vce(sat) і корпус TO-247 з вашою схемою. Напруга на затворі Vge – ±20 В постійна. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Зварювання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити 40N120FL3?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з Vces не нижче 1200 В і струмом Ic при TC = 100 °C не менше ніж у цієї деталі (40 А). Vce(sat) і заряд затвора звіряйте за datasheet.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Тестером у режимі перевірки діодів перевірте, що немає пробою між затвором, колектором і емітером, а вбудований діод працює в одному напрямку.
Який діод усередині NGTB40N120FL3WG?
Вбудований швидкий діод з м'яким відновленням: струм IF 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C.
Документація виробника: NGTB40N120FL3W/D, IGBT - Ultra Field Stop, Rev. 6.
Параметри наведено за datasheet виробника NGTB40N120FL3W/D.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.