Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор 50G60HD ( FGW50N60HD , FGW50G60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247

282,00 ₴

3 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

3 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

50G60HD – IGBT-транзистор Fuji Electric з антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces600 В
Струм Ic при 25 °C95 А
Струм Ic при 100 °C50 А
Vce(sat)1.50 В (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C)
Потужність Pd360 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
Заряд затвора Qg305 нКл
Вхідна ємність Cies4320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

50G60HD (він же FGW50N60HD і FGW50G60HD) – IGBT-транзистор Fuji Electric з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (абсолютний максимум). Струм колектора Ic – 95 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.50 В типово при Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 360 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 305 нКл типово при Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 4320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус; якщо Qg заміни суттєво більший, перевірте драйвер затвора.

Де застосовують

  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Силові перетворювачі (power conditioner)
  • Схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
IRGP4068D-E Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перед заміною порівняйте datasheet. Купити
JT050N065WED Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перед заміною порівняйте datasheet. Купити
NCE60TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перед заміною порівняйте datasheet. Купити
NCE40TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перед заміною порівняйте datasheet. Купити
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перед заміною порівняйте datasheet. Купити
YGW75N65HP Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Запас за струмом; Qg порівняйте за datasheet, може знадобитися інший драйвер. Купити
IHW40N120R3 Vces 1200 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 1200 В, зворотно-провідний IGBT: перевірте, що схема і драйвер підходять. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити 50G60HD?

Шукайте IGBT з діодом у корпусі TO-247, у якого Vces не нижча за 600 В, а Ic при 100 °C і Vce(sat) близькі до наведених вище. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів на сторінці.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати і перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чи є в 50G60HD вбудований діод?

Так, антипаралельний діод: If 43 А при Tc 25 °C і 25 А при Tc 100 °C.

Для яких схем підходить 50G60HD?

У документі виробника вказані UPS, силові перетворювачі та схеми PFC. Режим вашої схеми порівняйте з параметрами вище.

Datasheet

Документація виробника: FGW50N60HD (Fuji Electric).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FGW50N60HD (Fuji Electric) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.