Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 50G60HD ( FGW50N60HD , FGW50G60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
282,00 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
50G60HD – IGBT-транзистор Fuji Electric з антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 95 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) | 1.50 В (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 360 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 305 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
50G60HD (він же FGW50N60HD і FGW50G60HD) – IGBT-транзистор Fuji Electric з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (абсолютний максимум). Струм колектора Ic – 95 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.50 В типово при Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 360 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 305 нКл типово при Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 4320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус; якщо Qg заміни суттєво більший, перевірте драйвер затвора.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Силові перетворювачі (power conditioner)
- Схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте datasheet. | Купити |
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте datasheet. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте datasheet. | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте datasheet. | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте datasheet. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Запас за струмом; Qg порівняйте за datasheet, може знадобитися інший драйвер. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | 1200 В, зворотно-провідний IGBT: перевірте, що схема і драйвер підходять. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити 50G60HD?
Шукайте IGBT з діодом у корпусі TO-247, у якого Vces не нижча за 600 В, а Ic при 100 °C і Vce(sat) близькі до наведених вище. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів на сторінці.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати і перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в 50G60HD вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: If 43 А при Tc 25 °C і 25 А при Tc 100 °C.
Для яких схем підходить 50G60HD?
У документі виробника вказані UPS, силові перетворювачі та схеми PFC. Режим вашої схеми порівняйте з параметрами вище.
Документація виробника: FGW50N60HD (Fuji Electric).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.