Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Транзистор 30N60FL ( NGTB30N60FLWG , 30N60FL2 , NGTB30N60FL2WG ), TO247

216,20 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

30N60FL (NGTB30N60FLWG) – IGBT-транзистор onsemi з антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Підходить для сонячних інверторів і джерел безперебійного живлення.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга колектор–емітер Vces600 В
Струм колектора Ic (TC 25 °C)60 А
Струм колектора Ic (TC 100 °C)30 А
Vce(sat) (VGE 15 В, IC 30 А, TJ 25 °C)1.65 В
Заряд затвора Qg170 нКл
Вхідна ємність Cies4200 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C)250 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Опис

30N60FL – IGBT-транзистор onsemi з антипаралельним діодом в одному корпусі TO-247. Повний номер за даташитом – NGTB30N60FLWG, у назві також 30N60FL2 та NGTB30N60FL2WG. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 30 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.65 В (VGE 15 В, IC 30 А, TJ 25 °C; typ.), при TJ 150 °C – 2.0 В. Заряд затвора Qg – 170 нКл (VCE 480 В, IC 30 А, VGE 15 В). Вхідна ємність Cies типово 4200 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 250 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод вбудований, з м’яким швидким відновленням: Vf 1.9 В (IF 30 А, TJ 25 °C), trr 72 нс (IF 30 А, VR 200 В, diF/dt 200 А/мкс).

Нова деталь, не демонтаж. Виробник зняв цей IGBT з виробництва, тому наявна деталь може бути вигідною для ремонту. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-247, напругу не нижче 600 В і струм при 100 °C, а також порівняйте заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Сонячні інвертори
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
NCE40TD60BT Vces 600 ≥ 600; Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 1.7 В (IC 40 А) ≤ 1.3×1.65; діод є; корпус TO-247 перевірте заряд затвора і драйвер Купити
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600; Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 1.37 В (IC 40 А) ≤ 1.3×1.65; діод є; корпус TO-247 прямий спад діода вищий, ніж у 30N60FL; перевірте драйвер Купити
45N60S1 Vces 600 ≥ 600; Ic(100 °C) 45 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 2.00 В (IC 45 А) ≤ 1.3×1.65; діод є; корпус TO-247 перевірте драйвер Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Чим замінити 30N60FL?

У каталозі є IGBT у корпусі TO-247 з тією ж напругою 600 В і не гіршим струмом при 100 °C: NCE40TD60BT, RJH60F5, 45N60S1. Порівняйте заряд затвора і діод зі своєю схемою.

Чи можна ставити 30N60FL2 замість 30N60FL?

Номер 30N60FL2 названо в назві товару як відповідник, але параметри в описі взято з даташиту NGTB30N60FLWG. Для іншої ревізії серії перевіряйте її даташит.

Як перевірити IGBT мультиметром?

У режимі прозвонки діода перевірте діод між колектором і емітером, а також відсутність пробою між затвором, колектором і емітером. Повну перевірку робіть у схемі під навантаженням.

Datasheet

Документація виробника: NGTB30N60FLWG (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NGTB30N60FLWG (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.