Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) демонтаж б/в, TO-3P
216,20 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
40WR21 (GT40WR21) – IGBT-транзистор Toshiba зі вбудованим діодом для інверторів із резонансним перемиканням напруги. Демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,9 В (тип.) при IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Час спаду tf | 0,15 мкс (тип.), 0,35 мкс (макс.) |
| Вбудований діод | є, RC-IGBT |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (тип.), 2,7 В (макс.) при IF 15 А |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 4500 пФ |
| Стан | Демонтаж б/в |
40WR21 (GT40WR21) – IGBT-транзистор Toshiba в корпусі TO-3P (за даташитом TO-3P(N)). Це RC-IGBT: зворотний діод інтегровано в кристал. Напруга насичення Vce(sat) 2,9 В (тип.) при IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C. Час спаду tf 0,15 мкс (тип.), 0,35 мкс (макс.) при резистивному навантаженні, VCC 600 В, IC 40 А, RG 51 Ом. Діод: Vf 1,7 В (тип.), 2,7 В (макс.) при IF 15 А, VGE 0 В; trr 1,0 мкс (тип.) при IF 15 А, di/dt –20 А/мкс. Максимальна температура переходу 175 °C. Вхідна ємність Cies типово 4500 пФ.
Демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм колектора, Vce(sat), наявність діода і корпус. Виробник призначає деталь лише для резонансних інверторів.
Де застосовують
- Інвертори із резонансним перемиканням напруги
- Індукційний нагрів
Чим замінити 40WR21?
Підбирайте деталь із вбудованим діодом, у корпусі TO-3P і для резонансних схем, порівнюючи напругу, струм і Vce(sat) за datasheet. Взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Це нова деталь чи демонтаж?
Демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в 40WR21 вбудований діод?
Так, зворотний діод інтегровано в кристал (RC-IGBT): Vf 1,7 В (тип.) при IF 15 А.
Для яких схем підходить 40WR21?
Для інверторів із резонансним перемиканням напруги, наприклад індукційного нагріву. Для інших застосувань виробник її не рекомендує.
Документація виробника: GT40WR21,Q (TOSHIBA).
Напругу Vces, струм Ic і потужність не наводимо: у джерелах значення розходяться або умови вимірювання не підтверджені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.