Польові транзистори
Транзистор SW036R10E8S ( SWP036R10E8S ) оригінал, TO220
В наявності
165,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 175 А (TC = 25 °C, обмеження кремнієм; обмеження корпусом 135 А) |
| Струм Id (100 °C) | 132 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.8 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 20 А; макс. 4.6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 312.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6263 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW050R68E8T ( SWP050R68E8T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (BVDSS) | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 88 А (Tc 100 °C, обмежено температурою переходу) |
| Опір Rds(on) | 5.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 195.3 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW060R68E7T ( SWP060R68E7T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 5.6 мОм типове, макс. 7 мОм (VGS=10 В, ID=50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94 нКл типове |
| Вхідна ємність Ciss | 3623 пФ (Vds 32 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Samwin |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,25 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4530 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5…4,5 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW3205 ( SWP3205 ) , TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Samwin |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C), 75 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 59 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3240 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор T65R195P ( MMFT65R195PTH ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, суперперехід |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Напруга Vds | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 20 А (TC 25 °C); 12,7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,195 Ом, тип. 0,175 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,3 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 53 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 34 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор T70R380P ( MMFT70R380P ) оригінал , TO220F
В наявності
109,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 700 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,38 Ом, тип. 0,34 Ом (Vgs 10 В, Id 3,2 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32,4 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TDM3458 оригінал, DFN5*6-8
В наявності
121,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Techcode |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Напруга Vds | 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 38 А |
| Rds(on), Vgs 10 В | 4.5 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) при Id 15 А, Tj 25 °C |
| Rds(on), Vgs 4.5 В | 6.7 мОм (тип.), 8.7 мОм (макс.) при Id 10 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В (тип. 1.7 В), Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 5.8 нКл (Vds 15 В, Id 15 А, Vgs 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 29.8 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 25 нс (If 5 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF14N50FD AOTF14N50FD TF14N50 AOTF14N50 оригінал (замінює UTC14N50L , 14N50L , MPF14N50 , FQPF14N50 , STP14NK50ZFP ) , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 14 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0,29 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=7 А |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1914 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF8N50 ( AOTF8N50 ) оригінал, TO220F
В наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, високовольтний |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id | 9 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В, TO-220F) |
| Струм Id (100 °C) | 6 А (Tc = 100 °C, TO-220F) |
| Rds(on) | 0,85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4 А) |
| Потужність Pd | 38,5 Вт (Tc = 25 °C, TO-220F) |
| Вхідна ємність Ciss | 868 пФ |
| Vgs | ±30 В макс. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E08N1 ( K100E08N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (обмеження корпусом; за кремнієм 214 А) |
| Опір Rds(on) | 3.2 мОм макс., 2.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9000 пФ |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 93 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E10N1 ( K100E10N1 ) оригінал , TO220
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET, N-канал, U-MOS-H |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 100 А |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 207 А |
| Rds(on) тип. | 2,8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 3,4 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Qg | 140 нКл (Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8800 пФ |
| Pd | 255 Вт (Tc = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK10A60E ( K10A60E ) оригінал ( заміна для TK10A60W , K10A60W , TK10A60D , K10A60D ) (600V,10A), TO220F
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 10 А (постійний) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tch | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 400 нс тип. |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11A65W ( K11A65W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11.1 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.39 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11P65W , DPAK
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал (DTMOS, Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 11.1 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. / макс. | 0.35 / 0.44 Ом (VGS 10 В, ID 5.5 А) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS 10 В, ID 0.45 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 11.1 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| trr | 230 нс тип. (IDR 5.5 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор TK12A50D ( K12A50D ) оригінал , TO220F(заміна для K12N50D )
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (TC 25 °C) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) | 0,52 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Qg | 29 нКл тип. (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 45 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK150E09NE ( K150E09NE ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (U-MOS-H, режим збагачення) |
| Напруга Vds | 85 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Rds(on) | 3,6 мОм тип., 5,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=75 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл (VDD≈64 В, VGS=10 В, ID=72 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=10 В, ID=1,0 мА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A60D ( K15A60D ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (MOS, підвищення) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (DC) | 15 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 7.5 А | тип. 0.31 Ом, макс. 0.37 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Тепловий опір канал–корпус | макс. 2.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A60U ( K15A60U ) оригінал , TO220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (DTMOS II) |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 950 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 530 нс (Idr 15 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK16A60W ( K16A60W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 15,8 А (Tc = 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idp | 63,2 А |
| Rds(on) тип. | 0,16 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Rds(on) макс. | 0,19 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Поріг Vth | 2,7–3,7 В (VDS = 10 В, ID = 0,79 мА) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1350 пФ |
| Vgss | ±30 В |
| Tch макс. | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK20A60U ( K20A60U ) оригінал , TO220F
В наявності
144,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, DTMOS II |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 20 А (Ta 25 °C); імпульсний 40 А |
| Rds(on) | тип. 0,165 Ом, макс. 0,19 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK25E60X ( K25E60X , K25E60X5 ) оригінал , TO220
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм стоку Id (DC, Tc 25 °C) | 25 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 7,5 А) | 0.105 Ом тип., 0.125 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) (Vds 10 В, Id 1,2 мА) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 25 А) | 40 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 180 Вт |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор TK39N60W ( K39N60W ) оригінал демонтаж (заміна для K39N60W5 , TK39N60W5 ) (600V,38.8A,0.055R) , TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET N-канал (DTMOS, super junction) |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 38.8 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Idp | 155 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) typ | 0.055 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) max | 0.065 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.7–3.7 В (Vds 10 В, Id 1.9 мА) |
| Qg | 110 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 38.8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ |
| Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch max | 150 °C |
| Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK58E06N1 ( K58E06N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Струм стоку Id (з радіатором) | 58 А |
| Rds(on) типово | 4,4 мОм при Vgs = 10 В, Id = 29 А |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт при Tc = 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл при Vdd ≈ 48 В, Vgs = 10 В, Id = 58 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK5P65W оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (DTMOS, Super Junction) |
| Напруга Vds (Ta 25 °C) | 650 В |
| Струм стоку Id (DC, Ta 25 °C) | 5,2 А |
| Rds(on) | 1,22 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,6 А) |
| Qg | 10,5 нКл тип. (VDD = 400 В, VGS = 10 В, ID = 5,2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 380 пФ |
| Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = 10 В, ID = 0,17 мА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 60 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK72E12N1 ( K72E12N1 ) оригінал , TO220
В наявності
148,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 72 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4,4 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Rds(on) тип. | 3,6 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (Vdd ≈ 96 В, Vgs 10 В, Id 72 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Ciss | 8100 пФ (Vds 60 В, Vgs 0 В, f 1 МГц) |
| Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK80E08K3 ( K80E08K3 ) оригінал , TO220
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 75 В |
| Струм Id | 70 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 7,5 мОм тип., 9,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Vth | 2,0–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK8A50D ( K8A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 8 А |
| Rds(on) типовий | 0.7 Ом (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK8P65W оригінал( заміна для CS8N65 ) , D-PAK
В наявності
43,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (DTMOS, Super Junction) |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 7.8 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.55 Ом тип., 0.67 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.9 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 7.8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 570 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS 10 В, ID 0.3 мА) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 210 нс тип. (IDR 3.9 А, VGS 0 В, -dIDR/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N50MR оригінал, TO-3P
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, планарна DMOS |
| Виробник | Truesemi |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | макс. 0.3 Ом, тип. 0.25 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. (Vds 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N65MR оригінал, TO-3P
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А (обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) (макс.) | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А; типове 0,40 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 … 5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл (типове; VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В; макс. 65 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність розсіювання Pd | 192 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1,4 В при Is = 20 А; trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл) |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSF13N50M оригінал ( TSF13N50 , FQPF13N50C , NS13N50C , STF13NK50Z , SVF13N50F , MDF13N50B , STP12NM50FP , STF12NM50N , MDF12N50F , FQPF11N50CF , 12N50E , FMV12N50E ), TO220F
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.40 Ом тип. / 0.48 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TW120N03D ( 120N03 ) оригінал (30V,120A), D-PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А при VGS=10 В |
| Струм стоку Id (100 °C) | 75 А при VGS=10 В |
| Імпульсний струм Idm | 384 А |
| Опір Rds(on) | тип. 3,0 мОм (макс. 3,8 мОм) при VGS=10 В, ID=15 А |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | тип. 4,4 мОм (макс. 5,5 мОм) при VGS=4,5 В, ID=10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 9,8 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2485 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 62,5 Вт при TC=25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Енергія лавини EAS | 198 мДж |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UF460L оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 21 А |
| Опір Rds(on) | до 310 мОм (VGS=10 В, ID=21 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл тип., 190 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC12N65L ( 12N65L ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік Vds | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDS 520 В, ID 12 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | UTC |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC13N50L ( 13N50L ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | макс. 0.48 Ом (VGS 10 В, Id 6,5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 168 Вт (TO-220/TO-262, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1630 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VND14NV04 ( VND14 NV04 ) оригінал, TO252
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Захищений N-канальний MOSFET, OMNIFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга обмеження Vclamp | 40–55 В (тип. 45 В), VIN = 0 В, ID = 7 А |
| Струм обмеження Ilim | 12–24 А (тип. 18 А), VIN = 5 В, VDS = 13 В |
| Поріг входу VIN(th) | 0,5–2,5 В, VDS = VIN, ID = 1 мА |
| Потужність Ptot | 74 Вт, TC = 25 °C |
| Теплове відключення Tjsh | 150–200 °C (тип. 175 °C), VIN = 5 В |
| Енергія лавини Eas | 400 мДж, Tj = 25 °C (старт), VDD = 24 В, L = 24 мГн |
| Стан | Оригінал |