Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF14N50FD AOTF14N50FD TF14N50 AOTF14N50 оригінал (замінює UTC14N50L , 14N50L , MPF14N50 , FQPF14N50 , STP14NK50ZFP ) , TO220F
216,20 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TF14N50FD (AOTF14N50) – N-канальний польовий транзистор Alpha & Omega Semiconductor у корпусі TO-220F. Оригінал, для імпульсних джерел живлення AC-DC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 14 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0,29 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=7 А |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1914 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
TF14N50FD, він же AOTF14N50FD, TF14N50 і AOTF14N50, – N-канальний MOSFET виробництва Alpha & Omega Semiconductor у корпусі TO-220F. Напруга стік–витік 500 В (при ID=250 мкА, VGS=0 В, TJ=25 °C). Струм стоку 14 А при TC=25 °C і 11 А при TC=100 °C; для TO-220F це значення з приміткою виробника про обмеження за максимальною температурою переходу. Опір відкритого каналу Rds(on) 0,29 Ом (тип.) і 0,38 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=7 А. Розсіювана потужність 50 Вт при TC=25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Виробник заявляє 100% UIS-тест, 100% Rg-тест і гарантовану лавинну стійкість. Вхідна ємність Ciss типово 1914 пФ.
Стан: оригінал, не демонтаж. За назвою товару TF14N50FD може замінити UTC14N50L, 14N50L, MPF14N50, FQPF14N50 і STP14NK50ZFP. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну, дивіться на напругу, струм, Rds(on), заряд затвора і корпус: він має збігатися, разом з розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела живлення AC-DC (off-line)
Чим замінити TF14N50FD?
За назвою товару він може замінити UTC14N50L, 14N50L, MPF14N50, FQPF14N50 і STP14NK50ZFP. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити цей MOSFET мультиметром?
Виводи – затвор, стік і витік. Справний транзистор не проводить між стоком і витоком, доки на затвор не подано напругу відкриття. Пробій виявляється як провідність між виводами без керування. Порогова напруга Vgs(th): 3,3 В (мін.), 4,2 В (тип.), 4,5 В (макс.) при VDS=5 В, ID=250 мкА.
Чи є у TF14N50FD вбудований діод?
Так, у datasheet вказано вбудований діод стік–витік. Час зворотного відновлення trr 289 нс (тип.) і 347 нс (макс.) при IF=14 А, dI/dt=100 А/мкс, VDS=100 В.
Документація виробника: AOT14N50/AOB14N50/AOTF14N50, 500V, 14A N-Channel MOSFET, Rev 7.1.
Datasheet AOS на AOTF14N50; псевдоніми TF14N50FD і AOTF14N50FD у документі не згадуються.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.