Польові транзистори
Демонтаж
Транзистор 6R099C6 ( IPW60R099C6 ) оригінал демонтаж, TO247( 650V, 37.9A , 0.099R )
В наявності
253,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (мін.) | 600 В (ID = 0,25 мА) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 37,9 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 24 А |
| Імпульсний струм Id,pulse | 112 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 18,1 А, Tj = 25 °C) | 0,099 Ом (макс.) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 119 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2660 пФ (VGS = 0 В, VDS = 100 В, f = 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В (статично) |
| Потужність Ptot (TO-247, TC = 25 °C) | 278 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 6R125C6 ( IPW60R125C6 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET, N-канал, CoolMOS C6 |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку ID | 30 А (TC=25 °C); 19 А (TC=100 °C) |
| RDS(on) | 0,125 Ом макс. (VGS=10 В, ID=14,5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (VDD=480 В, ID=14,5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2127 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 219 Вт (TC=25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 6R190C6 ( IPA60R190C6 ) оригінал, TO220F
В наявності
178,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм Id | 20,2 А (Tc 25 °C); 12,8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,17 Ом тип., 0,19 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9,5 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 0,63 мА) |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 34 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190P6 ( IPA60R190P6 ) оригінал, TO220F
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0, Id 1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20,2 А (Tc 25 °C); 12,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 190 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 7,6 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл (типове, Vdd 400 В, Id 9,5 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1750 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,5–4,5 В (Id 0,63 мА) |
| Ptot | 34 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R600P ( IPP60R600CP ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6.1 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 15 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.6 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В (Vds=Vgs, Id 0.22 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.1 °C/Вт (макс.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70R380P ( MME70R380P , MME70R380PRH ) оригінал, D2PAK (750V,11A,0.38R)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip |
| Напруга Vds | 700 В (VGS 0 В, ID 0,25 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vds при Tj макс. | 750 В |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C), 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3,2 А) |
| Qg | 34 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 560 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 101 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70R900P оригінал( 70R900P7 , MMD70R900PRH ), D-PAK (700V,5A,0.9R)
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip |
| Напруга Vds | 700 В (VGS 0 В, ID 0,25 мА, Tc 25 °C) |
| Струм Id | 5 А (Tc 25 °C), 3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,9 Ом макс. (VGS 10 В, ID 1,5 А, Tc 25 °C) |
| Qg | 15 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 560 В, ID 5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70S360P7 ( IPD70R360P7S ) оригінал , D-PAK (700V,12.5A)(Заміна для 70R360M , TPD70R360M , 11N60S )
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS P7 |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12.5 А (за назвою товару) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 34 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.36 Ом (Vgs 10 В, Id 3.0 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 16.4 нКл (Vdd 400 В, Id 2.3 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 517 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Vgs(th) | 3 В тип., 3.5 В макс. (Id 0.15 мА) |
| Ptot | 59.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70S900P7 ( IPD70R900P7S ) оригінал, D-PAK
В наявності
49,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Маркування на корпусі | 70S900P7 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канал, CoolMOS P7 (superjunction) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj = 25 °C) |
| Rds(on), макс. | 0,9 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C) |
| Rds(on), тип. | 0,74 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 12,8 А (TC = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 30,5 Вт (TC = 25 °C) |
| Qg, тип. | 6,8 нКл (VDD = 400 В, ID = 0,9 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 211 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 75344G ( HUF75344G ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 75 А (TC 25 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм тип. / 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Заряд затвора Qg(tot) | 175 нКл тип. / 210 нКл макс. (VGS 0–20 В, VDD = 30 В, ID = 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 285 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 9R1K2C ( IPA90R1K2C3 ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 900 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 5.1 А (TC = 25 °C); 3.2 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.94 Ом тип., 1.2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2.8 А, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS = VGS, ID = 0.31 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 710 пФ |
| Потужність Pd | 31 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AGM405Q , корпус PDFN-8(5×6)
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AGM-Semi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 55 А при TC 25 °C (обмежено корпусом); 33 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 4,8 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 20 А; макс. 6,5 мОм) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 7,5 мОм тип. (Id 15 А; макс. 9,5 мОм) |
| Vgs(th) | 1,2 / 1,6 / 2,2 В (мін / тип / макс; Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 28 Вт при TC 25 °C; 11 Вт при TC 100 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 775 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Транзистор AO3400A ( AO3400 ) , sot23
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор-витік Vgs max | ±12 В |
| Струм стоку Id | 5.7 А (TA 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм стоку Id (70 °C) | 4.7 А (TA 70 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 30 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | < 26.5 мОм (Id 5.7 А, Tj 25 °C, typ 18) |
| Rds(on) при Vgs 4.5 В | < 32 мОм (Id 5 А, Tj 25 °C, typ 19) |
| Rds(on) при Vgs 2.5 В | < 48 мОм (Id 3 А, Tj 25 °C, typ 24) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.65–1.45 В (typ 1.05), Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 1.4 Вт (TA 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 630 пФ |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор AO3407 , sot23
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | -30 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | -4.1 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs -10 В | 34 мОм typ / 52 мОм max (Id -4.1 А) |
| Rds(on) при Vgs -4.5 В | 54 мОм typ / 87 мОм max (Id -3 А) |
| Заряд затвора Qg | 9.2 нКл typ / 11 нКл max (Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -4.1 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 520 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.4 min / -1.9 typ / -2.4 max В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | -25 А |
| Потужність розсіювання Pd | 1.4 Вт (TA 25 °C) |
| Температура переходу і зберігання (TJ, TSTG) | -55…150 °C |
| Тип каналу | P-канал, trench-технологія, вбудований діод |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AO4407A ( 4407A , AO4407 ) , so-8
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | -30 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | -12 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs -20 В | 8.5 мОм typ / 11 мОм max (Id -12 А) |
| Rds(on) при Vgs -10 В | 10 мОм typ / 13 мОм max (Id -12 А) |
| Rds(on) при Vgs -6 В | 12.7 мОм typ / 17 мОм max (Id -10 А) |
| Заряд затвора Qg | 30 нКл typ / 39 нКл max (Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2060 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.7 min / -2.3 typ / -3 max В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Імпульсний струм Idm | -60 А |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (TA 25 °C) |
| Температура переходу і зберігання (TJ, TSTG) | -55…150 °C |
| Тип каналу | P-канал, trench-технологія, вбудований діод |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AO4456 (30V,20A) , so-8(Заміна для AO4466 )
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TA 25 °C, VGS 10 В) | 20 А |
| Струм Id (TA 70 °C) | 16 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 20 А) | 4,6 мОм макс., 3,8 мОм тип. |
| Rds(on) (VGS 4,5 В, ID 20 А) | 5,6 мОм макс., 4,5 мОм тип. |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6430 пФ |
| Vgs(th) | 1,4–2,4 В |
| Потужність Pd (TA 25 °C) | 3,1 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Канал | N, з діодом Шотткі |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AOD2922 , D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, технологія AlphaMOS |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id | 7 А (Vgs 10 В, перша сторінка datasheet) |
| Опір Rds(on) | 140 мОм макс., 117 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 5 А, Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 176 мОм макс., 140 мОм тип. (Vgs 4,5 В, Id 3 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 1.7 / 2.2 / 2.7 В (мін./тип./макс.) |
| Заряд затвора Qg | 3.8 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 250 пФ |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Температура переходу Tj | -55…175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AOD3N40 оригінал ( D3N40 , STD3NK40 , 3N40 ) , D-PAK
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 2.6 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Id (Tc 100 °C) | 1.6 А |
| Rds(on) макс. | 3.1 Ом (Vgs 10 В, Id 1 А) |
| Qg | 4.2 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 320 В, Id 2.6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 186 пФ |
| Vgs(th) | 4 В тип. (3.4–4.5 В) |
| Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор AOD403 ( D403 ) оригінал (заміна для AP30P03D , AP40P03GH , 40P03G , AOD417 , AOD425 , UD3015 )(30V,70A) , D-PAK
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -30 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs (макс.) | ±25 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | -70 А (TC 25 °C, обмеження за приміткою G); -55 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | -200 А |
| Rds(on) макс. | 8 мОм (Vgs -10 В, Id -20 А); 6.2 мОм (Vgs -20 В, Id -20 А) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2890 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.5 … -3.5 В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 90 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | -55 … 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AOD4286 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 14 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 55,5 мОм тип. / 68 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 72,5 мОм тип. / 92 мОм макс. (Id 3 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 5,8 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 390 пФ (f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,7–2,9 В (Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Діапазон температур Tj і Tstg | -55…175 °C |
Транзистор AOD442 ( FQD30N06L ) , D-PAK
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 37 А (Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 16 мОм тип. / 20 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 20 мОм тип. / 25 мОм макс. (Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 47,6 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 30 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1920 пФ |
| Vgs(th) | 1,6–2,7 В (Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Діапазон температур Tj і Tstg | -55…175 °C |
Транзистор AOD444 , D-PAK
В наявності
25,38 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 47 мОм тип. / 60 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 67 мОм тип. / 85 мОм макс. (Id 6 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 7,5 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 30 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 450 пФ |
| Vgs(th) | 1–3 В (Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Діапазон температур Tj і Tstg | -55…175 °C |
Транзистор AOD4454 ( D4454 ) , D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id | 20 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | < 94 мОм (тип. 75,5 мОм) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,4–4,6 В (тип. 4 В) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл (Vgs 10 В, Vds 75 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 820 пФ |
| Температура переходу Tj | -55…175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AOD478 оригінал, D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (trench) |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id | 11 А (TC=25 °C) |
| Rds(on) макс. | 140 мОм (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Vgs(th) | 1.7–2.8 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 10.3 нКл (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 4.5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 445 пФ |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AOP605 ( P605 ), DIP8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (N-канал) | 30 В |
| Напруга Vds (P-канал) | -30 В |
| Струм Id N (TA 25 °C, VGS 10 В) | 7,5 А |
| Струм Id N (TA 70 °C) | 6 А |
| Струм Id P (TA 25 °C, VGS -10 В) | -6,6 А |
| Rds(on) N (VGS 10 В, ID 7,5 А) | 28 мОм макс., 22,6 мОм тип. |
| Rds(on) N (VGS 4,5 В, ID 6 А) | 43 мОм макс., 33 мОм тип. |
| Rds(on) P (VGS -10 В, ID -6,6 А) | 35 мОм макс., 28 мОм тип. |
| Заряд затвора Qg (N) | 13,84 нКл |
| Vgs(th) (N) | 1–3 В |
| Потужність Pd (N, TA 25 °C) | 2,5 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Канал | N + P (комплементарна пара) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AOP610 (30V,7.7A,-6.2A,2.3W) , DIP8
В наявності
45,12 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (N-канал) | 30 В |
| Напруга Vds (P-канал) | -30 В |
| Струм Id N (TA 25 °C, VGS 10 В) | 7,7 А |
| Струм Id N (TA 70 °C) | 6,1 А |
| Струм Id P (TA 25 °C, VGS -10 В) | -6,2 А |
| Rds(on) N (VGS 10 В, ID 7,7 А) | 24 мОм макс., 20 мОм тип. |
| Rds(on) N (VGS 4,5 В, ID 4 А) | 42 мОм макс., 34 мОм тип. |
| Rds(on) P (VGS -10 В) | 37 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg (N) | 11 нКл |
| Vgs(th) (N) | 1–3 В |
| Потужність Pd (N, TA 25 °C) | 2,3 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Канал | N + P (комплементарна пара) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AP18N20GH (18N20GH ) оригінал (заміна для P1820BD ), D-PAK
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | APEC (Advanced Power Electronics Corp) |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 9.5 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1065 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 89 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 180 нс (тип.) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP220N06MP оригінал, TO247
В наявності
133,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement Mode, APM-SGT |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 136 А |
| Опір Rds(on) | 3,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А; typ 2,4 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 93 нКл typ. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5950 пФ (Vds 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 168 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP2761I ( A2761I , A276II , A27611 ) оригінал, TO220F
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | APEC |
| Корпус | TO-220CFM(I) (TO-220F), ізольований |
| Напруга Vds | 700 В |
| Струм Id (TC 25 °C) | 6 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 3.7 А |
| Rds(on) | 1.3 Ом макс. (VGS=10 В, ID=3 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 67 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2750 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 37 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Діод | Vsd 1.5 В макс., trr 430 нс тип. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP40N03P ( 40N03P ) оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В мін. (BVDSS, VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 40 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; імпульсний 169 А) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 30 А (VGS 10 В, Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 14 мОм тип., 17 мОм макс. (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (ID 20 А, VDS 24 В, VGS 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1–3 В (VDS=VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | APEC |
| Стан | Оригінал |