Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70R900P оригінал( 70R900P7 , MMD70R900PRH ), D-PAK (700V,5A,0.9R)
117,50 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
70R900P – оригінальний N-канальний MOSFET Magnachip на 700 В у корпусі TO-252 (D-PAK). Для імпульсних блоків живлення і ступенів PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip |
| Напруга Vds | 700 В (VGS 0 В, ID 0,25 мА, Tc 25 °C) |
| Струм Id | 5 А (Tc 25 °C), 3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,9 Ом макс. (VGS 10 В, ID 1,5 А, Tc 25 °C) |
| Qg | 15 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 560 В, ID 5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
70R900P – N-канальний MOSFET виробництва Magnachip у корпусі TO-252 (D-PAK). Напруга стік–витік Vds – 700 В при VGS 0 В, ID 0,25 мА, Tc 25 °C. Струм стоку Id – 5 А при Tc 25 °C і 3 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,9 Ом при VGS 10 В, ID 1,5 А, Tc 25 °C (типово 0,81 Ом). Заряд затвора Qg – 15 нКл типово при VGS 10 В, VDS 560 В, ID 5 А. Вхідна ємність Ciss типово 430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В. Потужність розсіювання Pd – 40 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Цифри взято з документа MMD70R900P (MagnaChip), на ньому маркування 70R900P.
Деталь оригінальна, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на тип каналу (N-канал), корпус TO-252, напругу Vds і струм Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення, ступені PFC
- Адаптери
- Керування двигунами
- DC–DC перетворювачі
Чим замінити 70R900P?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-252 з Vds не нижче 700 В, близьким струмом Id та Rds(on). Порівнюйте за datasheet обох деталей за однакових умов вимірювання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить 70R900P для імпульсного блока живлення?
Так, виробник вказує застосування в імпульсних блоках живлення і ступенях PFC. Перед встановленням звірте напругу, струм і корпус зі схемою.
Який заряд затвора у 70R900P?
Qg – 15 нКл типово при VGS 10 В, VDS 560 В, ID 5 А. Це важливо для вибору драйвера затвора.
Документація виробника: MMD70R900P (MagnaChip).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Запобіжник прямокутний 3,15А (250V) з висновками під пайку
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номінальний струм | 3,15 А (Amp Code 1315) |
| Номінальна напруга | 250 В AC |
| Тип спрацювання | Time-Lag (сповільнене), IEC 60127-3, Sheet 4 |
| Падіння напруги (макс.) | 80 мВ при 1,0×Iн |
| Розсіювана потужність (макс.) | 1100 мВт при 1,5×Iн |
| Інтеграл плавлення I²t (мін.) | 55 А²с при 10×Iн |
| Опір холодний | 0,0170 Ом при 10% Iн, 25 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C з урахуванням дерейтингу вище +25 °C |
| Корпус | Радіальні виводи, прямокутний, ~8,5 × 4 мм, крок 5,08 мм |
| Матеріал корпуса | Поліамід PA 6.6, UL94 V-0 |
| Матеріал виводів | Мідь, луджена оловом |
| Розривна здатність | 32 А при 250 В AC |
Мікросхема OB2273MP ( 73xxx , 273xxx , xxx273 ) , sot23-6
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | струмовий ШІМ-контролер для зворотноходових AC/DC перетворювачів |
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SOT23-6 |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В (абсолютний максимум) |
| Струм старту VDD, макс. | 20 мкА (VDD = UVLO(OFF) – 1 В, TA 25 °C) |
| Робочий струм, макс. | 2,5 мА (VDD 18 В, VFB 3 В, TA 25 °C) |
| Частота перемикання | 65 (60–70) кГц (VDD 18 В, FB 3 В, TA 25 °C) |
| Частота розмивання | 32 Гц |
| Час гасіння на вході датчика струму | 220 нс |
| Тепловий опір перехід–середовище | 200 °C/Вт |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.