Стан
Корпус
- D2PAK 50
- D2PAK 7 Pin 9
- DIP8 3
- I-PAK (TO-251) 1
- I2PAKFP (TO-281) 1
- PDFN-8 (5x6) 10
- SO-8 22
- SOT-223 6
- SOT-23 6
- Super-247 1
- TO-220 321
- TO-220F 168
- TO-220FB-3L 18
- TO-247 124
- TO-247A-3L 5
- TO-252 (D-PAK) 89
- TO-252-4L 3
- TO-263-6L 2
- TO-3P 63
- TO-3PB 1
- TO-3PF 5
- TO-3PH 1
- TO-3PML 1
- TO-92 4
- TOLL 7
Категорії товарів
- TVS-діоди (супресори) (захисні діоди) 52
- Випромінювачі звуку, бузери, buzzer, зумери 3
- Вольтметри цифрові 17
- Вольтметри-амперметри цифрові 1
- Геркони 2
- Діністори 3
- Діоди 154
- Діоди Шоттки 52
- Діодні мости 40
- Електретні мікрофони 3
- Запобіжники 46
- Запчастини для мікрохвильових печей 20
- Інвертори універсальні 3
- Індуктивні елементи 33
- Кварци 29
- Керамічні резонатори 4
- Кнопки мережеві 16
- Конденсатори 487
- Макетні плати 6
- Мікроперемикачі 1
- Мікросхеми 1978
- Оптореле (твердотільні реле) 2
- Оптрони 56
- Панельки під мікросхеми 17
- Процесори для кінескопних ТВ 122
- Резистори 608
- Реле 77
- Різне 37
- Розрядники 2
- Світлодіоди 126
- Сімістори 66
- Стабілітрони 83
- Стабілітрони SMD SOD-80 0.5W 25
- Тактові кнопки 31
- Термозапобіжники 61
- Термостати 47
- Тиристори 22
- Транзистори 1782
- IGBT-транзистори 401
- Біполярні транзистори 364
- Польові транзистори 1017
- Трансформатори інверторів 17
- Трансформатори рядкові (ТДКС, FBT) 123
- Тюнери для кінескопних ТВ 84
- Фільтри 3
- Фотоприймачі 2
Ціна
Наявність
Польові транзистори
n- і p-канальні MOSFET, комплементарні пари та здвоєні транзистори, наприклад у корпусах TO-220, TO-247 і D2PAK.
CRJF140N65G2F – оригінальний транзистор, TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction (SJMOS) |
| Напруга Vds | 650 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 110 мОм тип. / 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 11 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 3,2–4,6 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 120 нс тип. (Isd 11 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | China Resources Microelectronics (Chongqing) |
| Вхідна ємність Ciss | 1595 пФ |
| Стан | Оригінал |
CRJT190N65GCF ( CRJT190N65GC ) – оригінальний транзистор ,TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 650 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.3 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 181 мОм тип., 210 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 245 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CRST052N15N3Z оригінальний транзистор, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 168 А (за корпусом 160 А) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 106 А |
| Опір Rds(on) | 4,0 мОм тип., 5,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 73,8 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 5096 пФ |
| Потужність Pd | 284 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS2698 оригінальний транзистор, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 9,5 А |
| Опір Rds(on) | 0,3 Ом тип., 0,4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (ID 15 А, VDD 250 В, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHA50N50 ( 50N50 ) оригінальний транзистор (заміна для FQA50N50 , FDA50N50 ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 31 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А) | 88 мОм тип., 105 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 148 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 500 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHP13N50 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,34 Ом (макс. 0,45 Ом) (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (типове, Vds 250 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | FeiHong |
| Стан | Оригінал |
FHP170N8F3 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 85 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, обмежено корпусом) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 117,2 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 4 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 208,3 Вт |
| Заряд затвора Qg | 124 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 6234 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 140 А |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 94 А |
| Rds(on) | 1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 52,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
NCEP026N10 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 142 А |
| Rds(on) | 2.4 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 100 А), макс. 2,6 мОм |
| Заряд затвора Qg | 240 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 17500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0 В типово |
| trr діода | 101 нс типово |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
P35NF65 ( SVSP35NF65P7D3 ) оригінальний транзистор, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 85 мОм тип. / 100 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 139 нКл тип. (Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
PTP04N04N оригінальний транзистор (заміна для FTP04N04N ) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PIP |
| Тип каналу | N (Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (за кремнієм) | 206 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (за корпусом) | 80 А при TC = 25 °C |
| Rds(on) | до 4.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 80 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 50.8 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
SKD503T оригінальний транзистор, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 120 А (обмеження корпусу; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (TC=100 °C) | 109 А (за кремнієм) |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 227 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (IF=50 А, dI/dt=100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Стан | Оригінал |
STFI40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал, I2PAKFP(TO-281)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В (V(BR)DSS, VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 34 А (TC = 25 °C); 22 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,088 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | від -55 до 150 °C |
| Корпус | I2PAKFP (TO-281) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Комплект 6шт CRST041N08N оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Кількість у комплекті | 6 шт |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом), 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) тип. | 3.4 мОм (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6050 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLR2905 оригінал ( LR2905 ), D-PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 42 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 30 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 160 А |
| Rds(on) | 0,027 Ом (VGS = 10 В, ID = 25 А, макс.) |
| Qg | 48 нКл (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW20N60S5 ( 20N60S5 ) оригінал (заміна для K20N60W , TK20N60W ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13 А, макс.) | 0.19 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–5.5 В |
| Заряд затвора Qg (VDD = 350 В, ID = 20 А, тип.) | 79 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 208 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 07N60C3 ( SPA07N60C3 ) оригінал, TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0.25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 7.3 А (Tc 25 °C, версія SPA) |
| Струм Id (100 °C) | 4.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.54 Ом тип., макс. 0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4.6 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 21 нКл тип., макс. 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 7.3 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 110N7F6 ( STP110N7F6 ) оригінал (68V,110A) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Серія | STripFET F6 |
| Напруга Vds | 68 В |
| Струм Id (25 °C) | 110 А |
| Струм Id (100 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,0065 Ом (макс.), 0,0055 Ом (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 176 Вт |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2N0608 ( SPB80N06S2-08 ) оригінал, TO263
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.) |
| Струм Id | 80 А при TC = 25 °C (обмежено виводами корпусу) |
| Rds(on) | 6,5 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 58 А |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (тип.), 96 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 215 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2N7000 (60V,0.2A,0.4W)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 0.2 А при Tamb 25 °C |
| Струм стоку імпульсний Idm | 0.5 А при Tamb 25 °C |
| Опір Rds(on), макс. | 5 Ом при VGS=10 В, ID=500 мА |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.8–3.0 В при ID=1 мА |
| Напруга затвор-витік Vgs, макс. | ±40 В |
| Потужність розсіювання | 400 мВт при Tamb 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss, макс. | 60 пФ при VDS=25 В, VGS=0, f=1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
Транзистор 2SK117
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор JFET, N-канал |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга затвор–стік Vgds | -50 В (Ta 25 °C, абс. максимум) |
| Струм затвора Ig | 10 мА (Ta 25 °C, абс. максимум) |
| Потужність Pd | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Idss | 1,2–14 мА (Vds 10 В, Vgs 0) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | -0,2…-1,5 В (Vds 10 В, Id 0,1 мкА) |
| Вхідна ємність Ciss | 13 пФ (Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SK1460
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FI (LS) |
| Напруга Vds | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 3.5 А (DC) |
| Імпульсний струм IDP | 7 А (PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1%) |
| Опір Rds(on) | 2.8 Ом тип., 3.6 Ом макс. (ID 2 А, VGS 10 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (VDS 20 В, f 1 МГц) |
Транзистор 2SK1574 ( K1574 ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0, мін., V(BR)DSS при ID = 10 мА) |
| Струм стоку Id | 8 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) | 0,85 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при ID = 1 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK1938 ( K1938 ) оригінал демонтаж(500V,18A), TO-3PML
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В мін. (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2313 ( K2313 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Ta = 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 60 А (Ta = 25 °C) |
| Rds(on) при VGS = 10 В, ID = 30 А | 8 мОм (тип.), 11 мОм (макс.) |
| Rds(on) при VGS = 4 В, ID = 30 А | 12 мОм (тип.), 15 мОм (макс.) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VDD ≈ 48 В, VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vth | 0,8 В (мін.), 2,0 В (макс.) при VDS = 10 В, ID = 1 мА |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2372 ( K2372 ) оригінал демонтаж(500V,25A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В (для 2SK2372) |
| Струм стоку Id (DC) | 25 А |
| Опір Rds(on) | 0.22 Ом типово, макс. 0.27 Ом (VGS 10 В, ID 13 А) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(off) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 160 Вт |
| Tch max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 500 нс |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | NEC |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2545 оригінал (600V,6A,40W,0.9R)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6 А (DC) |
| Опір Rds(on) | 0.9 Ом тип., макс. 1.25 Ом (VGS 10 В, ID 3 А) |
| Заряд затвора Qg | 30 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2611 оригінал демонтаж(900V,9A,150W) , TO3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 9 А (DC) |
| Опір Rds(on) | 1.2 Ом тип., макс. 1.4 Ом (VGS 10 В, ID 4 А) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2640 оригінал демонтаж (500V,10A,50W) ( 2SK4096 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 10 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.73 Ом типово, максимум 0.90 Ом (Id = 5 А, Vgs = 10 В) |
| Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Id = 1 мА, Vds = Vgs) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Виробник | Fuji Electric |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2698 ( K2698 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум) |
| Струм стоку Id | 15 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.35 Ом типово, максимум 0.4 Ом (Vgs = 10 В, Id = 7 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2750 (N-,600V,3.5A,35W,1.7R)(Заміна для 2SK3567 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум) |
| Струм стоку Id | 3.5 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 1.7 Ом типово, максимум 2.2 Ом (Vgs = 10 В, Id = 1.8 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 3.5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Транзистор 2SK2756 оригінал, TO-3PF
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds | 450 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.4 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Id 1 мА, Vds=Vgs) |
| Потужність Pd | 80 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2837 ( K2837 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.21 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А, типове значення) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3720 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2842 ( K2842 ) оригінал, TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (π-MOSV) |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 12 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.4 Ом тип., 0.52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 1200 нс тип. (IDR 12 А, VGS 0 В, dIDR/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IRF3205, IRLZ44N, IRF740 та інші MOSFET: параметри з карток, тип каналу, корпуси
Номери, які найчастіше вводять у пошук, – IRF3205, IRFZ44N, IRF740, IRLZ44N, IRF1404 і IRF840 – є в розділі. IRF3205 є у корпусі TO-220. Є також демонтаж AUIRF3205ZS у корпусі TO-263, у назві якого вказано, що він замінює IRF3205S і F3205S.
- IRLZ44N – 55 В, 47 А, 110 Вт, корпус TO-220.
- IRF740 – корпус TO-220.
- IRF840 (IRF840A) – корпус TO-220.
- IRF1404 – корпус TO-220. Є також IRF1404Z (F1404Z).
Vds, Id і Rds(on): три числа в картці MOSFET
- Напруга стік-витік Vds – максимально допустима напруга між стоком і витоком. У картках найчастіше стоїть 500 або 600 В. Серед моделей на меншу напругу часто трапляються 100 і 60 В.
- Струм стоку Id – максимально допустимий постійний струм стоку. У картці його вказано при 25 °C. Трапляються, наприклад, значення 20, 80 і 120 А.
- Опір каналу Rds(on) – опір між стоком і витоком, коли транзистор відкритий. Цим опором керує затвор. У картках є, наприклад, 4,5 мОм, 6,5 мОм і 200 мОм.
Тип каналу, режим збагачення і комплементарні пари
Тип каналу – N чи P – вказано в картках. У частини n-канальних транзисторів у картці додано «режим збагачення». Так називають режим, у якому позитивна напруга на затворі збільшує провідність n-каналу, і струм стоку зростає.
Є й комплементарні пари N+P: в одній деталі транзистор з n-каналом і транзистор з p-каналом. У підручнику на прикладі такої пари показано, що позитивна вхідна напруга відкриває транзистор з n-каналом, а транзистор з p-каналом у цей час закритий. Серед інших позначок у картках – здвоєний N-канал і logic level.
TO-220AB, D2PAK, SO-8 та інші корпуси
Крім TO-220 і TO-220F, у картках трапляються TO-220AB, TO-220FP, TO-3P і TO-247AC. Є й такі корпуси, як TO-252, D-PAK, D2PAK, TO-263, SO-8, SOT-223 і SOT-23. Найбільше моделей Infineon. Серед інших виробників – HUAYI, NCE Power, Vishay Siliconix, MagnaChip і Alpha & Omega Semiconductor.
Крім нових деталей, є демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в». До польових транзисторів у замовленнях часто додають мікросхеми та електролітичні конденсатори. Інші види транзисторів – у розділі Транзистори. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою по всій Україні – в день оплати або наступного дня.
Часті запитання
Мосфет – що це?
MOSFET – так в англомовній літературі називають МОН-транзистори. МОН означає «метал – оксид – напівпровідник»: затвор відділений від каналу шаром оксиду SiO2.
Як працює польовий транзистор у ключовому режимі?
Коли вхідна напруга менша за порогову напругу МОН-транзистора, він закритий, і струм стоку дорівнює нулю. Коли на вхід подати високу напругу, що відповідає логічній одиниці, транзистор відкритий.
Де застосовують ключі на польових транзисторах?
За підручником, транзисторні ключі на польових транзисторах широко використовують у цифровій техніці.