Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 2SK2698 ( K2698 ) оригінал демонтаж, TO-3P
71,44 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SK2698 (K2698) – N-канальний польовий транзистор Toshiba на 500 В і 15 А в корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум) |
| Струм стоку Id | 15 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.35 Ом типово, максимум 0.4 Ом (Vgs = 10 В, Id = 7 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
2SK2698 (у назві також K2698) – кремнієвий N-канальний MOSFET виробництва Toshiba в корпусі TO-3P. Напруга Vds 500 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум), струм стоку Id 15 А при Tc = 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0.35 Ом при Vgs = 10 В, Id = 7 А, максимум 0.4 Ом. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В при Vds = 10 В, Id = 1 мА. Заряд затвора Qg типово 58 нКл (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 15 А). Вхідна ємність Ciss типово 2600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 150 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура каналу 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни беріть N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 500 В і близькими Id та Rds(on) при Vgs = 10 В. Якщо Qg у заміни помітно більший, перевірте драйвер затвора. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Перетворювачі DC-DC, керування реле та двигунами.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 2SK2370 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×15=12, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.32 ≤ 1.3×0.35=0.455, корпус TO-3P = TO-3P | Qg 65 нКл, трохи більше, ніж 58 нКл; перевірте драйвер | Купити |
| 2SK2837 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×15=12, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.21 ≤ 1.3×0.35=0.455, корпус TO-3P = TO-3P | Qg 80 нКл проти 58 нКл у 2SK2698; перевірте драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: транзистор знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити 2SK2698?
З нашого каталогу за параметрами підходять 2SK2370 і 2SK2837 у корпусі TO-3P. Порівняйте datasheet перед заміною.
Як перевірити такий транзистор?
Тестером у режимі перевірки діодів перевірте, що між стоком, витоком і затвором немає пробою та обриву. Вбудований діод має проводити в одному напрямку.
Як ще називається ця деталь?
У назві товару вказано 2SK2698 і K2698, корпус TO-3P.
Документація виробника: 2SK2698 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.