Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор AUIRF3205ZS ( заміна для IRF3205S , F3205S ) оригінал демонтаж, TO263

70,50 ₴

14 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

14 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

AUIRF3205ZS – N-канальний MOSFET Infineon на 55 В у корпусі D2-Pak (TO-263). Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET, HEXFET
ВиробникInfineon
КорпусD2PAK
Напруга Vds55 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.)
Струм стоку Id (25 °C)110 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); 75 А – обмеження корпусом
Струм стоку Id (100 °C)78 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В
Опір Rds(on)4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 66 А
Поріг Vgs(th)2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.), ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Вхідна ємність Ciss3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd170 Вт, TC = 25 °C
Макс. Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

AUIRF3205ZS – N-канальний HEXFET автомобільного класу виробництва Infineon у корпусі D2-Pak (TO-263). Напруга Vds – 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 110 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); обмеження корпусом – 75 А. При TC = 100 °C, VGS = 10 В – 78 А. Опір Rds(on) – 4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 66 А. Заряд затвора Qg – 76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.) при ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 170 Вт при TC = 25 °C.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. AUIRF3205ZS може замінити IRF3205S і F3205S, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи іншу заміну, беріть той самий корпус TO-263, N-канал, Vds не нижче 55 В і порівняний Rds(on) при VGS = 10 В. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Автомобільна електроніка та інші застосування
  • Наднизький опір, швидке перемикання, дозволена повторювана лавина до Tjmax
Часто питають
Чим замінити AUIRF3205ZS?

Беріть N-канальний MOSFET у корпусі TO-263 з Vds не нижче 55 В і порівняним Rds(on) при VGS = 10 В. Порівнюйте параметри за однаковими умовами вимірювання в datasheet.

Чи може AUIRF3205ZS замінити IRF3205S?

AUIRF3205ZS може замінити IRF3205S і F3205S. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Який струм витримує AUIRF3205ZS?

110 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом), обмеження корпусом – 75 А. При TC = 100 °C – 78 А.

Datasheet

Документація виробника: AUIRF3205ZS (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

AUIRF3205ZS (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.