Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусI2PAKFP (TO-281)
СтанОригінал

STFI40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал, I2PAKFP(TO-281)

164,50 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STFI40N60M2 (40N60M2) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh M2 у корпусі I2PAKFP (TO-281) для імпульсних і резонансних перетворювачів. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусI2PAKFP (TO-281)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN, MDmesh M2
Напруга Vds600 В (V(BR)DSS, VGS = 0, ID = 1 мА)
Струм стоку Id34 А (TC = 25 °C); 22 А (TC = 100 °C)
Rds(on)0,088 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А)
Vgs(th)2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Температура переходувід -55 до 150 °C
КорпусI2PAKFP (TO-281)
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал
Опис

STFI40N60M2 (40N60M2) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії MDmesh M2 у корпусі I2PAKFP (TO-281). За даташитом DocID026364 Rev 2 напруга Vds становить 600 В (V(BR)DSS при VGS = 0, ID = 1 мА; 650 В при TJmax), струм стоку Id – 34 А при TC = 25 °C і 22 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 0,088 Ом при VGS = 10 В і ID = 17 А (тип. 0,078 Ом). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS = VGS і ID = 250 мкА (тип. 3 В). Заряд затвора Qg – 57 нКл (тип.) при VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Температура переходу від -55 до 150 °C. Є Zener-захист і 100 % перевірка на лавинний пробій.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус і розпіновку, Vds, Id, Rds(on) та заряд затвора, щоб драйвер справлявся з навантаженням. За даними виробника, прямі заміни – STF40N60M2 та STFW40N60M2; їх перевіряйте за даташитом. Застосування: імпульсні перетворювачі, LLC та резонансні перетворювачі.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі
  • LLC та резонансні перетворювачі
Часто питають
Чим замінити STFI40N60M2?

За даними виробника, прямі заміни – STF40N60M2 та STFW40N60M2. Перед заміною порівняйте корпус, Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора за даташитом.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Як перевірити MOSFET перед установкою?

Тестером перевірте відсутність пробою між виводами. Далі перевірте відкривання напругою VGS = 10 В у схемі з обмеженням струму.

Що означає Zener-захист у STFI40N60M2?

За даташитом, у транзистора є Zener-захист і 100 % перевірка на лавинний пробій.

Datasheet

Документація виробника: STFI40N60M2 (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STFI40N60M2 (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.