Польові транзистори
Транзистор AP4506GEH ( 4506GEH ) оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P |
| Напруга Vds, N-канал | 30 В |
| Напруга Vds, P-канал | −30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В (обидва канали) |
| Струм стоку Id, N-канал | 9 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id, P-канал | −8 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on), N-канал | 24 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4L |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp (APEC) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP4511GED ( AP4511GD ) , DIP8
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N + P (два канали в одному корпусі) |
| Напруга Vds, N-канал | 40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Напруга Vds, P-канал | -40 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±16 В |
| Струм Id, N-канал | 6,0 А (TA 25 °C), 5,0 А (TA 70 °C) |
| Струм Id, P-канал | -5,0 А (TA 25 °C), -4,0 А (TA 70 °C) |
| Rds(on), N-канал | 28 мОм макс. (VGS=10 В, ID=6 А) |
| Rds(on), P-канал | 42 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-5 А) |
| Потужність Pd | 2,0 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Транзистор AP4511GM (35V,7A,-6.1A,2W) , so-8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N + P (два канали в одному корпусі) |
| Напруга Vds, N-канал | 35 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Напруга Vds, P-канал | -35 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id, N-канал | 7 А (TA 25 °C), 5,7 А (TA 70 °C) |
| Струм Id, P-канал | -6,1 А (TA 25 °C), -5 А (TA 70 °C) |
| Rds(on), N-канал | 18 мОм тип., 25 мОм макс. (VGS=10 В, ID=7 А) |
| Rds(on), P-канал | 32 мОм тип., 40 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-6 А) |
| Потужність Pd | 2,0 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор AP4525GEH (40V,15A/12A,10.4W) ( заміна для P2804ND5G )
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. (APEC) |
| Тип | Польовий транзистор, N+P канал |
| Напруга Vds (N / P канал) | 40 В / -40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (N-канал) | 15 А при TA=25 °C (12 А при 70 °C) |
| Струм стоку Id (P-канал) | -12 А при TA=25 °C (-10 А при 70 °C) |
| Rds(on) N-канал | 28 мОм макс. при VGS=10 В, ID=6 А |
| Rds(on) P-канал | 42 мОм макс. при VGS=-10 В, ID=-5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 10.4 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±16 В |
| Робочий діапазон Tj | -55…150 °C |
| Корпус | TO-252-4L |
Транзистор AP4525GEM , so-8
В наявності
32,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. (APEC) |
| Тип | Польовий транзистор, N+P канал |
| Напруга Vds (N / P канал) | 40 В / -40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (N-канал) | 6 А при TA=25 °C (5 А при 70 °C) |
| Струм стоку Id (P-канал) | -5 А при TA=25 °C (-4 А при 70 °C) |
| Rds(on) N-канал | 28 мОм макс. при VGS=10 В, ID=6 А |
| Rds(on) P-канал | 42 мОм макс. при VGS=-10 В, ID=-5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 2.0 Вт при TA=25 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±16 В |
| Робочий діапазон Tj | -55…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор AP72T02GH ( 72T02GH ) , D-PAK
В наявності
32,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp (APEC) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 25 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В) | 62 А |
| Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В) | 44 А |
| Rds(on) при VGS=10 В, ID=30 А | 9 мОм макс. |
| Rds(on) при VGS=4,5 В, ID=15 А | 15 мОм макс. |
| Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 930 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 60 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AP85T03GP ( 85T03GP ) оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 75 А (TC = 25 °C, VGS = 4.5 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 55 А (TC = 100 °C, VGS = 4.5 В) |
| Опір Rds(on) | 6 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 45 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 10 мОм макс. (VGS = 4.5 В, ID = 30 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип., 52 нКл макс. (ID = 30 А, VDS = 24 В, VGS = 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 107 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор AP86T02GH ( 86T02GH ) демонтаж , D-PAK
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (режим збагачення) |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp |
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 75 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 62 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 6 мОм (макс.; ID = 45 А) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 10 мОм (макс.; ID = 30 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (тип.; VGS = 4,5 В, VDS = 20 В, ID = 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1830 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор AP9997GH ( 100V,11A,120mR ) , D-PAK
В наявності
31,96 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | APEC |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 7 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 8 А) | 120 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 34,7 Вт |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл тип., 21 нКл макс. (VDS = 80 В, VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 450 пФ тип., 720 пФ макс. (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1,0 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор APM3055L
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ANPEC |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Опір Rds(on) | 75 мОм тип., 100 мОм макс. (VGS=10 В, ID=12 А) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 8,5 нКл тип., 12 нКл макс. (VDS=15 В, VGS=10 В, ID=2 А) |
| Потужність Pd | 50 Вт (TO-252, TA 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
Транзистор APM4010N , D-PAK ( AOD454 , P2804BDG , STU428S , KMB054N40DB )
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм Id | 85 А (TC = 25 °C, TJ = 175 °C; обмеження корпусом 110 А) |
| Опір Rds(on) | 0,0050 Ом (VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл тип. (VDS = 20 В, VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2380 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 312 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор APM4015P , D-PAK (P5504EDG )
В наявності
40,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | –40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | –50 А |
| Струм Id (TC = 125 °C) | –39 А |
| Rds(on) (VGS = –10 В, ID = –17 А) | 0,012 Ом |
| Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –14 А) | 0,015 Ом |
| Qg (типово) | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (f 1 МГц) |
| Vgs(th) | –1,0…–3,5 В |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 136 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Демонтаж
Транзистор AUIRF3205ZS ( заміна для IRF3205S , F3205S ) оригінал демонтаж, TO263
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 55 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 110 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); 75 А – обмеження корпусом |
| Струм стоку Id (100 °C) | 78 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В |
| Опір Rds(on) | 4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 66 А |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.), ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт, TC = 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор B06N03 ( MTB06N03J3 , MTB06N03 ) оригінал, D-PAK
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 50 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А) | 5.3 мОм тип., 6 мОм макс. |
| Опір Rds(on) (Vgs 5 В, Id 24 А) | 7.6 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg | 53 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4753 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 83 Вт |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | CYStech Electronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BR13N50 оригінал (заміна для SFP13N50C , SFP13N50 ), TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Foshan Blue Rocket Elec |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (TC = 25 °C); 8 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.48 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 195 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BSH103 , sot23
В наявності
14,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, збагачення (enhancement) |
| Напруга Vds | 30 В (макс., DC) |
| Струм стоку Id (DC) | 0.85 А (Ts = 80 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 3.4 А |
| Опір Rds(on) | 0.5 Ом макс. (Vgs = 2.5 В; Id = 0.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.4 В мін. (Vds = Vgs; Id = 1 мА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±8 В (макс., DC) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0.5 Вт (Ts = 80 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 83 пФ (Vds 24 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Демонтаж
Транзистор BUK444-200A (200V, 4.7A , 25W , 0.5R) , TO220F демонтаж ( BUK444-200B , PHF9NQ20T )
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (Ths = 25 °C) | 5,3 А (200A), 4,7 А (200B) |
| Струм Id (Ths = 100 °C) | 3,3 А (200A), 3,0 А (200B) |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) | 0,4 Ом (200A, макс.), 0,5 Ом (200B) |
| Vgs(th) | 2,1–4,0 В |
| Потужність Pd (Ths = 25 °C) | 25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 1500 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор BUK7608-55 ( BUK7608-55A , BUK7608 ) оригінал, TO263
В наявності
213,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, TrenchMOS, standard level |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм стоку Id | 75 А (Vgs = 10 В; Tmb = 25 °C; обмежений корпусом) |
| Rds(on) тип. | 6,8 мОм (Vgs = 10 В; Id = 25 А; Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 8 мОм (Vgs = 10 В; Id = 25 А; Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 254 Вт (Tmb = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3264 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUK7635-55A ( BUK7635 ) оригінал, TO263
В наявності
76,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, TrenchMOS, standard level |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм стоку Id | 35 А (Vgs = 10 В; Tmb = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 25 А (Vgs = 10 В; Tmb = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 30 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 35 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 85 Вт (Tmb = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BUZ77A
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Siemens |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА, Tj = 25 °C) |
| Струм Id | 2,7 А (TC = 31 °C) |
| Струм імпульсний | 11 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 4 Ом макс., типово 3,5 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,7 А) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В (VGS = VDS, ID = 1 мА) |
| Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 460 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
Транзистор BUZ90A оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Siemens |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 4 А (TC 30 °C, постійний) |
| Rds(on) | 1,7 Ом тип., 2 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,8 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUZ90AF (600V,4A),TO220F
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc = 30 °C) | 4 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) (Vgs = 10 В, Id = 2.8 А) | 2 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) (Vgs = Vds, Id = 1 мА) | 2.1–4 В |
| Вхідна ємність Ciss (Vds = 25 В) | 780 пФ (тип.) |
| Вихідна ємність Coss (Vds = 25 В) | 110 пФ (тип.) |
| Прохідна ємність Crss (Vds = 25 В) | 40 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Виводи | G, D, S (1, 2, 3) |
| Діапазон температур | -55…+150 °C |
Транзистор CEP83A3 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Cmos |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 4,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А); 7 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2,5 В (тип. 1,7 В) |
| Qg | 37 нКл тип. (VGS = 5 В, VDS = 15 В, ID = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CJT03P10 ( T03P10 ) оригінал, sot223
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -100 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -3 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 190 мОм (VGS = -10 В, ID = -3 А; типове 153 мОм) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В (макс.) | 210 мОм (VGS = -4,5 В, ID = -1 А; типове 166 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1 … -3 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (Ta 25 °C, плата 1 дюйм² з міддю 2 унції) |
| Вхідна ємність Ciss | 1419 пФ (f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | JSCJ |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMF20N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 12 А при Tc 100 °C (обмежено Tj max) |
| Опір Rds(on), тип. | 0.4 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.48 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg, тип. | 57 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 435 нс |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMH20N50 оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 12 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on), макс. | 0.26 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 280 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMH24N50 оригінал, TO247
В наявності
149,93 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 6300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В макс. |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMH82N25 оригінал, TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Cmos |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 90 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 58 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А, Tj 25 °C, макс.) | 35 мОм |
| Rds(on) (типово) | 29 мОм |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Ciss (VDS = 25 В, VGS = 0, f = 1 МГц) | 7000 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 550 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMP13N50T оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (Tc 25 °C); 8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 45 нКл (VDS = 400 В, ID = 13 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMP3205B оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Cmos |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 65 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.8 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл тип. (Id 30 А, Vdd 35 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 260 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJF190N65GCF оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове) | 181 мОм |
| Заряд затвора Qg (типове) | 41 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.5–4.5 В |
| Розсіювана потужність (Tc 25 °C) | 29 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJF99N65G2BF оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (Super Junction) |
| Виробник | China Resources Microelectronics (CRM) |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 31 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 90 мОм тип., макс. 103 мОм (VGS = 10 В, ID = 17 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.2–4.6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 70 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 17 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ |
| Потужність Pd | 26 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Діод тіла | надшвидкий |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ190N65GCF ( CRJQ190N65GC ) оригінал(23A,650V), TO247
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 23 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 14.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 185 мОм тип., 210 мОм макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ |
| Потужність Pd | 229 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CRJQ30N60G2F оригінал демонтаж, TO247
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 83 А при Tc 25 °C; 55 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 28 мОм тип., 33 мОм макс. (VGS=10 В, ID=42 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,2–4,6 В при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (VGS=10 В, VDS=480 В, ID=42 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 595 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |