Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJF99N65G2BF оригінал, TO220F
141,00 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRJF99N65G2BF – оригінальний N-канальний Super Junction MOSFET China Resources Microelectronics на 650 В, корпус TO220F, з надшвидким діодом тіла.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (Super Junction) |
| Виробник | China Resources Microelectronics (CRM) |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 31 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 90 мОм тип., макс. 103 мОм (VGS = 10 В, ID = 17 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.2–4.6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 70 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 17 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ |
| Потужність Pd | 26 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Діод тіла | надшвидкий |
| Стан | Оригінал |
CRJF99N65G2BF – N-канальний Super Junction MOSFET виробництва China Resources Microelectronics (CRM) у корпусі TO-220F. Напруга Vds – 650 В при VGS = 0 В, ID = 250 мкА. Струм стоку Id – 31 А при Tc 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 20 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 90 мОм типово при VGS = 10 В, ID = 17 А, Tj 25 °C (максимум 103 мОм; при Tj 150 °C типово 230 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 3.2–4.6 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 70 нКл типово при VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 17 А. Вхідна ємність Ciss типово 1900 пФ. Потужність розсіювання – 26 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод тіла – надшвидкий.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vds, Id і Rds(on) при однакових умовах вимірювання та беріть той самий корпус TO-220F. Пряма заміна за даними виробника: CRJF99N65G2F. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Освітлення LED/LCD/PDP, монітори і телевізори
- Сонячні системи, ДБЖ, мікроінвертори
- Зарядні пристрої, блоки живлення
Чим замінити CRJF99N65G2BF?
За даними виробника, пряма заміна – CRJF99N65G2F. Перевіряйте корпус і порівнюйте параметри за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який діод тіла в CRJF99N65G2BF?
Вбудований надшвидкий діод тіла (ultra-fast body diode).
Який струм витримує CRJF99N65G2BF?
31 А при Tc 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 20 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: CRJF99N65G2BF.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.