Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJF190N65GCF оригінал, TO220F
141,00 ₴
46 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
46 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRJF190N65GCF – N-канальний польовий транзистор Super Junction виробництва CR Micro в корпусі TO-220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове) | 181 мОм |
| Заряд затвора Qg (типове) | 41 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.5–4.5 В |
| Розсіювана потужність (Tc 25 °C) | 29 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
CRJF190N65GCF – N-канальний MOSFET за технологією Super Junction виробництва CR Micro, корпус TO-220F. Напруга Vds – 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мінімум). Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 14 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 181 мОм, максимум 210 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А, Tc 25 °C). Заряд затвора Qg – типово 41 нКл (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 10 А). Вхідна ємність Ciss типово 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 3.5–4.5 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Розсіювана потужність – 29 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни порівнюйте канал, напругу Vds, струм стоку, Rds(on) при однаковій напрузі на затворі та корпус: іншу розпіновку чи корпус без перевірки не ставте. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- LED/LCD/PDP-телевізори і монітори, освітлення
- Сонячні інвертори, ДБЖ, мікроінвертори
- Зарядні пристрої та блоки живлення
Чим замінити CRJF190N65GCF?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В і струмом стоку не менше 20 А при Tc 25 °C. Порівнюйте Rds(on) при однаковій напрузі на затворі. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для блоку живлення?
У документі застосування – зарядні пристрої та блоки живлення, а також сонячні інвертори і ДБЖ. Перед встановленням порівняйте параметри зі схемою.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) – 3.5–4.5 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Rds(on) наведено для VGS = 10 В.
Документація виробника: CRJF190N65GCF (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.