Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252-4L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP4506GEH ( 4506GEH ) оригінал
94,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AP4506GEH (4506GEH) – комплементарна пара N+P MOSFET у корпусі TO-252-4L для схем керування та перемикання. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252-4L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P |
| Напруга Vds, N-канал | 30 В |
| Напруга Vds, P-канал | −30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В (обидва канали) |
| Струм стоку Id, N-канал | 9 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id, P-канал | −8 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on), N-канал | 24 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4L |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp (APEC) |
| Стан | Оригінал |
AP4506GEH (маркування 4506GEH) – комплементарна пара польових транзисторів: в одному корпусі TO-252-4L стоять N-канальний і P-канальний MOSFET. Напруга Vds N-каналу 30 В, P-каналу −30 В, напруга Vgs ±20 В для обох каналів. Струм стоку N-каналу Id 9 А при TA = 25 °C і 7.2 А при TA = 70 °C, P-каналу −8 А при TA = 25 °C. Опір відкритого каналу N-каналу Rds(on) не більше 24 мОм при Vgs 10 В, Id 6 А та не більше 32 мОм при Vgs 4,5 В, Id 4 А. Порогова напруга Vgs(th) N-каналу 1–3 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg N-каналу типово 8.3 нКл. Потужність розсіювання 3.1 Вт при TA = 25 °C, температура переходу до 150 °C. Виробник – Advanced Power Electronics Corp (APEC).
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналів (N + P), напругу Vds і струм Id кожного каналу, Rds(on), корпус TO-252-4L і розташування виводів: пара з іншою розпіновкою не стане на ту саму плату.
Де застосовують
- Комплементарна пара N+P MOSFET для схем керування та перемикання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити AP4506GEH?
Потрібна така сама комплементарна пара N+P у корпусі TO-252-4L з тією самою розпіновкою. Порівняйте Vds обох каналів (30 В і −30 В), струми Id і Rds(on) за datasheet.
Як перевірити, чи підходить AP4506GEH для моєї схеми?
Звірте напругу Vds, струм Id і Rds(on) кожного каналу з вашою схемою. Для керування затвором враховуйте Vgs ±20 В і порогову напругу N-каналу 1–3 В.
Чим AP4506GEH відрізняється від звичайного MOSFET?
У корпусі два транзистори різної провідності: N-канал на 30 В, 9 А при TA = 25 °C і P-канал на −30 В, −8 А при TA = 25 °C.
Документація виробника: AP4506GEH (Advanced Power Electronics Corp).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.