Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор CMP13N50T оригінал, TO220

141,00 ₴

64 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

64 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CMP13N50T – N-канальний польовий транзистор Cmos на 500 В у корпусі TO-220, оригінал. Для імпульсних джерел живлення та DC-DC перетворювачів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id13 А (Tc 25 °C); 8 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on), макс.0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg, тип.45 нКл (VDS = 400 В, ID = 13 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj max150 °C
КорпусTO-220
ВиробникCmos
СтанОригінал
Опис

CMP13N50T – N-канальний MOSFET виробника Cmos у корпусі TO-220. За даними документа CMP13N50T (Cmos): напруга Vds 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 13 А при Tc 25 °C і 8 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) не більше 0.48 Ом при VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Потужність розсіювання Pd 200 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Заряд затвора Qg типово 45 нКл при VDS = 400 В, ID = 13 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Стан: оригінал, не копія. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте не лише Vds і Id: потрібен той самий корпус TO-220 і порівнянні Rds(on) та заряд затвора Qg, щоб драйвер затвора впорався так само. Перед установкою звіряйте цифри з документом. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні регулятори
  • ДБЖ
  • DC-DC перетворювачі
  • Корекція коефіцієнта потужності
Часто питають
Чим замінити CMP13N50T?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 500 В, не меншим струмом стоку і близьким Rds(on). Порівнюйте параметри з документом; якщо Qg помітно більший, перевірте драйвер затвора.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для імпульсного блока живлення?

Так, за даними документа транзистор застосовують в імпульсних регуляторах, ДБЖ, DC-DC перетворювачах і схемах корекції коефіцієнта потужності.

Який опір відкритого каналу?

Rds(on) не більше 0.48 Ом при VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: CMP13N50T (Cmos).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CMP13N50T (Cmos) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.