Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUK138-50DL ( BUK138 ) оригінал, DPAK
117,50 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BUK138-50DL (BUK138) – захищений логічний N-канальний MOSFET TOPFET2 у корпусі DPAK з термозахистом і захистом від перевантаження. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP, тепер Nexperia) |
| Тип каналу | N, логічний рівень входу 5 В |
| Напруга Vds | 50 В |
| Струм стоку Id | 8 А (VIS = 5 В; Tmb = 110 °C) |
| Опір Rds(on) | 100 мОм макс. (Quick reference) |
| Розсіювана потужність Pd | 40 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
BUK138-50DL (також BUK138) – захищений логічний N-канальний MOSFET серії TOPFET2 від Philips Semiconductors (NXP, тепер Nexperia) у корпусі DPAK (SOT428, 3 виводи). У транзистор вбудовано термозахист і захист від перевантаження. Напруга стік-витік Vds – 50 В, постійний струм стоку Id – 8 А при VIS = 5 В і Tmb = 110 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 100 мОм (макс., таблиця Quick reference), розсіювана потужність Pd – 40 Вт, робоча температура переходу Tj – до 150 °C. Поріг вхідної напруги VIS(TO) – 0.6–2.4 В при VDS = 5 В і ID = 1 мА, тому вхід 5 В сумісний з логікою.
Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vds, Id, Rds(on), корпус DPAK і наявність вбудованого захисту: у звичайного MOSFET без захисту поведінка при перевантаженні інша. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Ключ загального призначення для керування лампами, двигунами, соленоїдами, нагрівачами в автомобільних та інших системах.
- Вхід 5 В сумісний з логікою, можна керувати напряму від мікроконтролера.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати BUK138-50DL напряму від мікроконтролера?
Так, вхід розрахований на рівень 5 В (VIS = 5 В), поріг VIS(TO) – 0.6–2.4 В при VDS = 5 В і ID = 1 мА.
Чим замінити BUK138-50DL?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі DPAK з Vds не нижче 50 В, Id не менше 8 А і вбудованим захистом від перегріву та перевантаження. Звичайний MOSFET без захисту поводиться інакше, порівнюйте datasheet.
Що означає TOPFET2 у назві серії?
Це MOSFET зі схемою захисту на кристалі: термозахист і захист від перевантаження. Стійкість до ESD – 2 кВ (модель людського тіла).
Документація виробника: Logic level TOPFET BUK138-50DL, Product specification, Rev 1.300.
Параметри наведено за datasheet виробника; опір відкритого каналу – за таблицею Quick reference (макс. значення), статус виробництва не підтверджено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.