Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUK7635-55A ( BUK7635 ) оригінал, TO263
76,61 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BUK7635-55A – N-канальний польовий транзистор Nexperia (TrenchMOS) у корпусі TO263 для комутації навантажень 12 В і 24 В. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, TrenchMOS, standard level |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм стоку Id | 35 А (Vgs = 10 В; Tmb = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 25 А (Vgs = 10 В; Tmb = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 30 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 35 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 85 Вт (Tmb = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Стан | Оригінал |
BUK7635-55A (BUK7635) – N-канальний польовий транзистор Nexperia (раніше NXP / Philips), серія TrenchMOS, стандартний рівень керування затвором. Корпус D2PAK (SOT404), 3 виводи. Напруга Vds – 55 В. Струм стоку Id – 35 А при Vgs = 10 В і Tmb = 25 °C, 25 А при Tmb = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 30 мОм типово і 35 мОм максимум при Vgs = 10 В, Id = 20 А, Tj = 25 °C. Вхідна ємність Ciss типово 650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Ptot – 85 Вт при Tmb = 25 °C. Транзистор має автомобільну кваліфікацію AEC-Q101.
Оригінал, не демонтаж. Замінюючи цей транзистор, порівнюйте параметри з datasheet: канал (N), корпус і розпіновка мають збігатися, Vds і Id – бути не нижчими, Rds(on) – не вищим. Порогова напруга Vgs(th) – 2 – 3 – 4 В (мін. – тип. – макс.) при Id = 1 мА, тому перевірте, чи підходить ваш драйвер затвора. Застосування: двигуни, лампи та соленоїди, навантаження 12 В і 24 В, автомобільна комутація та комутація загального призначення.
Де застосовують
- Двигуни, лампи та соленоїди
- Навантаження 12 В і 24 В
- Автомобільна комутація та комутація загального призначення
Чим замінити BUK7635-55A?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з такою самою розпіновкою, з Vds не нижче 55 В, Id не нижче 35 А та Rds(on) не вище 35 мОм при Vgs = 10 В. Порівнюйте параметри за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для автомобільної електроніки?
Виробник вказує автомобільну кваліфікацію AEC-Q101 і застосування: двигуни, лампи та соленоїди, навантаження 12 В і 24 В, автомобільна комутація.
Який струм транзистор витримує при нагріві?
Id – 35 А при Tmb = 25 °C і 25 А при Tmb = 100 °C (Vgs = 10 В). Робоча температура переходу Tj – від -55 до 175 °C.
Документація виробника: BUK7635-55A Product data sheet, Rev. 02.
Другого незалежного джерела, статусу виробництва та заряду затвора Qg не знайдено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.