Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 80R900P ( MMF80R900PTH ) оригінал, TO220F
75,67 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
80R900P (MMF80R900PTH) – N-канальний польовий транзистор Magnachip на 800 В у корпусі TO220F. Оригінал, не копія.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (superjunction) |
| Виробник | Magnachip |
| Напруга Vdss | 800 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Id (Tc = 100 °C) | 3,8 А |
| Rds(on) макс. | 0,9 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,8 А) |
| Розсіювана потужність | 29,8 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 574 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
80R900P – це маркування транзистора MMF80R900PTH виробництва Magnachip, N-канального MOSFET (superjunction) на 800 В. Напруга стік-витік Vdss – 800 В при Tc = 25 °C; при максимальній температурі переходу Vds – 850 В. Струм стоку Id – 3,8 А при Tc = 100 °C, імпульсний струм Idm – 18 А. Опір відкритого каналу Rds(on): типово 0,78 Ом, максимум 0,9 Ом при Vgs = 10 В, Id = 3,8 А. Заряд затвора Qg – 17,6 нКл (типове значення при Vgs = 10 В, Vds = 640 В, Id = 6 А). Вхідна ємність Ciss типово 574 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 29,8 Вт при Tc = 25 °C, напруга затвор-витік Vgs – ±30 В.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet тип каналу, Vdss, Id при Tc = 100 °C, Rds(on) при Vgs = 10 В і корпус TO220F: він має бути тим самим, з тією ж розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Каскади PFC блоків живлення, комутаційні застосування, адаптери.
Чим замінити 80R900P?
Підбирайте N-канальний MOSFET з Vdss не нижче 800 В, корпусом TO220F і схожими Id та Rds(on) при Vgs = 10 В. Порівнюйте за datasheet, а не за назвою.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняються 800 В і 850 В у datasheet?
800 В – Vdss при Tc = 25 °C, 850 В – Vds при максимальній температурі переходу. Це два окремі значення, а не розбіжність.
Чи підходить для блоків живлення?
Так, за даними datasheet деталь застосовують у каскадах PFC блоків живлення й адаптерах.
Документація виробника: MMF80R900PTH Datasheet, 800V 0.9 Ohm N-channel MOSFET, Revision 1.4.
Параметри наведено за datasheet виробника Magnachip (MMF80R900PTH, Rev 1.4, червень 2021).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.