Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R600P ( IPP60R600CP ) оригінал, TO220
216,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
6R600P (IPP60R600CP) – N-канальний польовий транзистор на 600 В для силової комутації. Оригінал, корпус TO220.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6.1 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 15 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.6 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В (Vds=Vgs, Id 0.22 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.1 °C/Вт (макс.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
6R600P (IPP60R600CP) – N-канальний MOSFET у корпусі TO-220, режим підсилення. Параметри наведено за документом IPP60R600CP (Inchange Semiconductor). Напруга Vds 600 В при Ta 25 °C, безперервний струм стоку 6.1 А при Ta 25 °C, імпульсний струм Idm 15 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C). Опір Rds(on) макс. 0.6 Ом при Vgs 10 В, Id 3.3 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.5–3.5 В при Vds=Vgs, Id 0.22 мА, напруга затвор–витік ±20 В. Потужність розсіювання 60 Вт при Tc 25 °C, тепловий опір канал–корпус макс. 2.1 °C/Вт, Tj до 150 °C. Пряма напруга діода Vsd макс. 1.2 В при If 3.3 А, Vgs 0 В.
У цьому лоті оригінальна деталь, не копія. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус із цими значеннями та з документом. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Чим замінити 6R600P?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 600 В, струмом стоку близьким до 6.1 А і Rds(on) не гірше 0.6 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який номер у документа на цю деталь?
Документ – IPP60R600CP (Inchange Semiconductor), цей номер названо й у назві товару поруч із 6R600P.
Яка напруга керування затвором?
Rds(on) макс. 0.6 Ом наведено при Vgs 10 В, напруга затвор–витік не більше ±20 В.
Документація виробника: IPP60R600CP (Inchange Semiconductor).
Заряд затвора в документі не вказано; корпус TO-220 узято з назви товару.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.