Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N50MR оригінал, TO-3P
141,00 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TSA20N50MR – N-канальний польовий транзистор Truesemi у корпусі TO-3P, оригінал. Для імпульсних джерел живлення та PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, планарна DMOS |
| Виробник | Truesemi |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | макс. 0.3 Ом, тип. 0.25 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. (Vds 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
TSA20N50MR – N-канальний MOSFET (планарна DMOS) виробництва Truesemi у корпусі TO-3P. За даташитом TSA20N50MR Ver.B1: напруга Vds 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА), струм стоку Id 20 А при Tc 25 °C і 13 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0.3 Ом, типове значення 0.25 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А). Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В. Заряд затвора Qg 70 нКл типово (Vds 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 280 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, Id при однакових умовах, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-3P. Якщо в заміні заряд затвора Qg суттєво більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення високої ефективності.
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC) на напівмостовій топології.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| CS2837 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×20 = 16, Rds(on) Vgs 10 В макс. 0.18 ≤ 1.3×0.3 = 0.39, корпус TO-3P = TO-3P | Qg 96 нКл проти 70 нКл у TSA20N50MR – перевірте драйвер затвора. | Купити |
| FQA16N50 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 16.5 ≥ 0.8×20 = 16, Rds(on) Vgs 10 В макс. 0.38 ≤ 1.3×0.3 = 0.39, корпус TO-3P = TO-3P | Запас за струмом мінімальний; у назві цього товару – демонтаж. | Купити |
| FSW25N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 25 ≥ 0.8×20 = 16, Rds(on) Vgs 10 В макс. 0.26 ≤ 1.3×0.3 = 0.39, корпус TO-3P = TO-3P | Qg 96 нКл проти 70 нКл у TSA20N50MR – перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити TSA20N50MR?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 500 В, з близьким струмом Id при 25 °C і близьким Rds(on) при Vgs 10 В. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів на сторінці.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує TSA20N50MR?
За даташитом Id 20 А при температурі корпуса 25 °C і 13 А при 100 °C.
Для чого використовують цей транзистор?
Для імпульсних джерел живлення та активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) на напівмостовій топології.
Документація виробника: TSA20N50MR (Truesemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.